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特長

  • ISL2111、HIP2101の8Ld SOIC、8Ld DFN、10Ld TDFNパッケージ互換
  • 最大電圧115VDCのブートストラップ電源はハーフブリッジの100Vをサポート
  • NMOS FET用3Aソース/4Aシンク・ゲート・ドライバ
  • 高速伝搬遅延とマッチング:15ns(標準)の遅延、2ns(標準)のマッチング
  • 0.5Ω(代表値)のブートストラップ・ダイオードを内蔵
  • 広い動作電圧範囲: 6V~18V
  • VDDおよびブート時の低電圧ロックアウト(UVLO)
  • 堅牢なノイズ耐性:入力での広いヒステリシス、HSピンは最大-10V(連続)までを許容
  • HI/LI入力 3.3Vロジック対応(VDD電圧許容範囲内)

説明

HIP2211は100V、3Aソース、4Aシンクの高周波ハーフブリッジNMOS FETドライバです。HIP2211は標準のHI/LI入力を備え、HIP2101やISL2111などルネサスの一般的なブリッジドライバとピン互換性があります。6V~18Vの広い動作電源範囲とハイサイドブートストラップダイオードの内蔵により、100VハーフブリッジアプリケーションでのハイサイドおよびローサイドNMOSの駆動をサポートします。

この3Aソース、4Aシンクのドライバは高速な15ns(標準)の伝搬遅延と2ns(標準)の遅延マッチングを実現しており、高周波スイッチング・アプリケーションに最適な製品です。VDDとブートUVLOにより低電圧動作の際も保護されます。

HIP2211は、8Ld SOIC、8Ld 4x4mm DFN、10Ld 4x4mm TDFNパッケージで提供されます。

パラメータ

属性
Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) 115
VBIAS (Max) (V) 18
Peak Pull-up Current (A) 3
Peak Pull-down Current (A) 4
Turn-On Prop Delay (ns) 15
Turn-Off Prop Delay (ns) 15
Rise Time (μs) 0.02
Fall Time 20
Temp. Range (°C) -40 to +125°C
Input Logic Level 3.3V/TTL
Qualification Level Standard
Simulation Model Available iSim

パッケージオプション

Pkg. Type Pkg. Dimensions (mm) Lead Count (#) Pitch (mm)
DFN 4.0 x 4.0 x 0.90 8 0.8
SOICN 4.9 x 3.9 x 1.47 8 1.3
TDFN 4.0 x 4.0 x 0.75 10 0.8

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その他アプリケーション

  • テレコム用ハーフブリッジ/フルブリッジDC/DCコンバータ
  • 3相BLDCモータドライバ; Hブリッジモータドライバ
  • 2スイッチフォワードコンバータ、アクティブクランプコンバータ
  • 多相PWM DC/DCコントローラ
  • D級アンプ

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