特長
- 30mΩ、650V GaNデバイス(TOLLパッケージ)
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- リバースリカバリーチャージゼロ
- クロスオーバー損失の低減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率が向上し、次のことが可能になります。
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- システムコストの全体的な削減
説明
TOLLパッケージに収められたTP65H030G4PQS、650V、30mΩの窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IV plus SuperGaN® プラットフォームを使用したノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と最適化された低電圧シリコンMOSFETを組み合わせて、優れた性能、標準的なドライブ回路との互換性により設計の容易さ、および高信頼性を実現します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 30 |
| RDSON (max) (mΩ) | 41 |
| Vth typ (V) | 4 |
| Id max @ 25°C (A) | 55.7 |
| Qrr typ (nC) | 0 |
| Qg typ (nC) | 24.5 |
| Qoss (nC) | 135 |
| Ron * Qoss (FOM) | 4050 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1500 |
| Coss (Typical) (pF) | 127 |
| trr (Typical) (nS) | 36 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type |
|---|
| TOLL |
アプリケーション・ブロック図
|
Hybrid Inverter
This hybrid inverter system enables efficient energy storage through a hybrid architecture and MPPT algorithms.
|
その他アプリケーション
- AIデータセンターおよびテレコム電源
- E-モビリティ充電
- PVインバーター
- 無停電電源装置 (UPS)
- Battery Energy Storage System (BESS)