シリコン・SiCに対する効率向上
ルネサスは窒化ガリウム（GaN）パワー半導体のパイオニアとして、25Wから10kWを超える幅広いアプリケーションに向けに、高信頼かつ高性能なソリューションを提供しています。 2,000万個以上の高電力・低電力デバイスを出荷し、累計で3,500億時間以上のフィールド実績を誇ります。 この高い信頼性は、GaNの特性を活かした独自のアーキテクチャと、多様なパッケージオプションによって実現しています。 コンパクトなPQFNや堅牢なTOリードタイプ、さらにボトム／トップクーリング対応の各種表面実装パッケージをラインアップしています。 他のGaN製品では実現できない高い汎用性を実現します。 ルネサスのGaNソリューションは、堅牢なNormally-Offアーキテクチャ、多様なパッケージ、標準シリコンドライバ対応の低電圧MOSFETを備え、システム開発者にとって導入が容易でコスト効率の高い設計を実現します。
堅牢で信頼性が高い
市場で高い採用実績を誇るGaN-on-Siカスコード技術は、累計3,500億時間以上の稼働実績があり、垂直統合型サプライチェーンにより、1,000件以上のGaN関連特許を持つ信頼の技術です。
ハイパフォーマンスポートフォリオ
25W～10kW以上の幅広い電力帯域に対応し、他のGaN製品に比べて損失を25%低減して効率を向上。シリコン、SiC、e-mode GaNを上回る性能で、インフラ、産業、車載、民生向けの幅広いアプリケーションに最適です。
デザインが簡単
市場で入手可能な標準ゲートドライバ互換性を備え、ピン互換のリード付き、SMD、トップクーリングパッケージの幅広いラインナップを提供します。
製品ポートフォリオ
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ルネサスのGaNで電力変換効率を向上
本eBookでは、ルネサスのGaNデバイスとエコシステムソリューションが、電力変換効率と信頼性を向上させ、多様な用途において次世代の省エネルギーと高性能を実現する仕組みを紹介します。
