シリコン・SiCに対する効率向上
ルネサスは窒化ガリウム（GaN）パワー半導体のパイオニアとして、25Wから10kWを超える幅広いアプリケーションに向けに、高信頼かつ高性能なソリューションを提供しています。 2,000万個以上の高電力・低電力デバイスを出荷し、累計で3,500億時間以上のフィールド実績を誇ります。 この高い信頼性は、GaNの特性を活かした独自のアーキテクチャと、多様なパッケージオプションによって実現しています。 コンパクトなPQFNや堅牢なTOリードタイプ、さらにボトム／トップクーリング対応の各種表面実装パッケージをラインアップしています。 他のGaN製品では実現できない高い汎用性を実現します。 ルネサスのGaNソリューションは、堅牢なNormally-Offアーキテクチャ、多様なパッケージ、標準シリコンドライバ対応の低電圧MOSFETを備え、システム開発者にとって導入が容易でコスト効率の高い設計を実現します。
堅牢性と高い信頼性
高電力用途での採用をリードするルネサスは、フィールドで累計7,400億時間超の稼働実績を持つGaN-on-Siカスコード技術を提供しています。さらに、垂直統合型のサプライチェーンと1,000件超のGaN技術特許により、高い信頼性と安定供給を実現します。
高性能な製品ラインアップ
25W～10kW超までの幅広い電力帯をカバーし、他社GaN製品と比較して損失を低減するとともに、より高い性能を発揮します。さらに、インフラ、産業、車載、民生用途において、シリコン、SiC、E-mode GaNを上回る性能を実現します。
設計が容易
標準的なゲートドライバとの互換性に加え、市場で最も幅広いピン互換のリード付き、SMD、トップ冷却パッケージを取り揃えるなど、導入を加速する豊富な機能を備えています。
製品ポートフォリオ
すべての製品を比較するアプリケーション
高耐圧GaN双方向スイッチ：高性能と使いやすさを両立
本ホワイトペーパーでは、ルネサスのGaN双方向スイッチが、高速スイッチング、低寄生成分、堅牢なゲート特性により、小型かつ高効率な電力変換回路をどのように実現するかを解説します。 また、AC/DC、太陽光発電、バッテリ、AI向け電源システムにおける主なメリットについても概説します。
