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特長

  • 標準レベルのゲート駆動電圧:VGS(th)= 2.0V〜4.0V
  • 超低オン抵抗:RDS(on)=0.65mΩ(max)
  • 低入力容量
  • 車載アプリケーション向けに設計され、AEC-Q101(HTRB、HTGB)認定済み

説明

スプリットゲート構造を持つREXFET-1 100V製品は、超低オン抵抗を特長としています。加えて、入力容量、及びゲート電荷を低減し、より効率的なスイッチングを可能にします。この技術により、高速スイッチングと低電力損失を実現できるため、電力効率が向上します。さらに、耐久性と信頼性を向上させ、パワーマネジメントシステム、モータドライブ、DC-DCコンバータなどの車載アプリケーションに適しています。

パラメータ

属性
Qualification Level Automotive
Nch/Pch Nch
Channels (#) 1
Standard Pkg. Type Bare die
VDSS (Max) (V) 100
ID (A) 500
Ciss (Typical) (pF) 34000
Qg typ (nC) 450
Series Name REXFET-1

パッケージオプション

Pkg. Type
Bare

アプリケーション・ブロック図

3-Phase Motor Control with RISC-V Core ASSP Block Diagram
3相RISC-Vモータコントローラ
事前にプログラムされた32ビットRISC-V ASSPを備えた3相モータコントローラ。

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2025年10月29日
REXFET MOSFETでRDS(on)を低減