特長
- 標準レベルのゲート駆動電圧:VGS(th)= 2.0V〜4.0V
 - 超低オン抵抗:RDS(on)=0.65mΩ(max)
 - 低入力容量
 - 車載アプリケーション向けに設計され、AEC-Q101(HTRB、HTGB)認定済み
 
説明
スプリットゲート構造を持つREXFET-1 100V製品は、超低オン抵抗を特長としています。加えて、入力容量、及びゲート電荷を低減し、より効率的なスイッチングを可能にします。この技術により、高速スイッチングと低電力損失を実現できるため、電力効率が向上します。さらに、耐久性と信頼性を向上させ、パワーマネジメントシステム、モータドライブ、DC-DCコンバータなどの車載アプリケーションに適しています。
パラメータ
| 属性 | 値 | 
|---|---|
| Qualification Level | Automotive | 
| Nch/Pch | Nch | 
| Channels (#) | 1 | 
| Standard Pkg. Type | Bare die | 
| VDSS (Max) (V) | 100 | 
| ID (A) | 500 | 
| Ciss (Typical) (pF) | 34000 | 
| Qg typ (nC) | 450 | 
| Series Name | REXFET-1 | 
パッケージオプション
| Pkg. Type | 
|---|
| Bare | 
アプリケーション・ブロック図
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             | 
              3相RISC-Vモータコントローラ
 事前にプログラムされた32ビットRISC-V ASSPを備えた3相モータコントローラ。 
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適用されたフィルター
読込中
    フィルター
ソフトウェア/ツール
サンプルコード
シミュレーションモデル
Jeff demonstrates how Renesas' REXFET MOSFETs, with low on-resistance and fast switching performance, enable more efficient BLDC motor operation in industrial and automotive applications.
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2025年10月29日 
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