シングルステージDAB方式ソーラーマイクロインバータ

このマイクロインバータは、GaNパワースイッチを採用することで高効率と高電力密度を実現し、最大500Wの出力を供給可能な高出力のシングルステージソリューションです。 その構成には、一次側のフルブリッジ、高周波絶縁トランス、およびルネサスのGaN双方向FETを採用した二次側のAC/ACブリッジが含まれており、高速かつ低損失なスイッチングを実現するとともに、系統連系時および独立運転時のいずれにおいても、50/60Hz動作においてTHDを3%以下に抑えています。 従来のフライバック方式のマイクロインバータは、通常250W未満に制限され、多段構成を必要としますが、本設計では、より少ない部品数で高出力を実現し、効率を向上させ、電力密度を大幅に高めています。 広い入力電圧範囲および負荷範囲にわたるソフトスイッチングにより、システム全体の性能がさらに向上します。

このシステムのメリット：

• オン抵抗とスイッチング容量が低いルネサスのGaN双方向スイッチ (BDS) を採用することで、最大97%という高い電力変換効率を実現
• 高周波スイッチングによる高電力密度を実現し、磁気部品の小型化と全体的な設計のコンパクト化が可能
• THDが3%未満という低歪みで動作可能であり、系統連系時および独立運転時のいずれにおいても良好な電力品質を確保
• 業界最高水準のルネサス製部品を採用した最小限のBOMにより、多様なラインおよび負荷条件下においても、システム全体の最高のパフォーマンスを確保
• Arm^® Cortex^® MCUを搭載し、リアルタイム監視、電力フロー制御、およびMPPTアルゴリズムを実現