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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)

ハーフブリッジFETドライバ

ルネサスのハーフブリッジ(Hブリッジ)ドライバは最大100Vの電圧に対応し、業界トップクラスのゲート立ち上がり/立ち下がり時間と優れた入出力間伝播遅延性能を特長としています。

高電力密度・高効率

高電力密度・高効率

高いシンク/ソース電流駆動能力と低伝搬遅延による高速スイッチングにより、コンパクトなパッケージで効率的な電力供給を可能にします。

柔軟な設計

柔軟な設計

独立したハイサイド/ローサイド制御またはPWM入力に対応し、Siおよび GaN MOSFETを使用したパワーステージ向けに多様な駆動オプションを提供します。

内蔵保護機能

内蔵保護機能

UVLO機能、シュートスルー防止機能、および過熱保護機能を内蔵し、過酷な電力環境下でも堅牢で信頼性の高い動作を確保します。

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