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特長

  • 標準駆動電圧対応:VGS(th) = 2.0V〜4.0V
  • 超低オン抵抗:RDS(on) = 1.5mΩ以下
  • 低入力容量
  • 低熱抵抗
  • 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
  • IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1

説明

RBE015N10R1SZPV NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLGパッケージで提供されます。 TOLGパッケージはTOLLパッケージと同様のプロファイルとフットプリントですが、ガルウィングリードによる高い熱サイクル能力の利点があります。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。

パラメータ

属性
Qualification LevelIndustrial
Nch/PchNch
Channels (#)1
Standard Pkg. TypeTOLG
VDSS (Max) (V)100
ID (A)340
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm)1.5
Pch (W)468
Ciss (Typical) (pF)13000
Qg typ (nC)170
Series NameREXFET-1

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)
TOLG9.90 x 11.70 x 2.509

アプリケーション・ブロック図

48V Mobility Platform Block Diagram
48Vモビリティプラットフォーム
この48Vモビリティプラットフォームは、多様な電動モビリティアプリケーションに対応する汎用性と適応性に優れたソリューションを提供します。
48V BLDC Motor Position Control Block Diagram
48V BLDC モータ位置制御
正確な制御、迅速なウェイクアップ、シームレスなコンポーネント統合を備えた効率的なBLDCモータシステム。

その他アプリケーション

  • 電源管理システム
  • モータ制御
  • DC/DCコンバータ

適用されたフィルター

ニュース&ブログ

ブログ
2025年10月29日
REXFET MOSFETでRDS(on)を低減