特長
- VDSS = 80V
- 標準駆動電圧対応: VGS(th) = 2.0~4.0V
- 超低オン抵抗: RDS(on) = 9.3mΩ max
- ID = 50A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- パッケージ: μSO8-FL (3x3)
- 100% アバランシェテスト済み
- Pb-free: RoHS対応
- MSL1 (IPC/JEDEC J-STD-020)
説明
RBE093N08R1SZN2 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、3x3 μSO8-FLパッケージで提供されます。μSO8-FLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3.3x3.3 |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 50 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 9.3 |
| Pch (W) | 57 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1800 |
| Qg typ (nC) | 28 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| μSO8-FL | 3.3 x 3.3 x 0.85 | 8 |
製品比較
| RBE093N08R1SZN2 | RBA50N08EANS-5UA09 | RBE172N08R1SZN2 | RBE056N08R1SZN6 | |
| VDSS (Max) (V) | 80 | 80 | 80 | 80 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 9.3 | 9.3 | 17.2 | 5.6 |
| ID (A) | 50 | 50 | 30 | 90 |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3.3x3.3 | μSO8-FL 3x3 BSC | μSO8-FL 3.3x3.3 | SO8-FL 5x6 |
| Qualification Level | Industrial | Automotive | Industrial | Industrial |
アプリケーション・ブロック図
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3相RISC-Vモータコントローラ
事前にプログラムされた32ビットRISC-V ASSPを備えた3相モータコントローラ。
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レゾルバによるモータ制御
レゾルバは、ステッピングおよびBLDCモータシステムのモータ制御の精度と信頼性を向上させ、コストを削減します。
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小型産業用ロボットのレゾルバモータ制御
コンパクトなロボットシステムは、正確なモーションコントロール、堅牢な設計、開発時間の短縮を実現します。
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その他アプリケーション
- モータ制御
- データセンター
- エネルギーインフラ
- 産業オートメーション
- DC/DC電源変換
- 電動工具
- ロボティクス