特長
- 30mΩ、650V GaNデバイス、TOLTパッケージ
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- リバースリカバリーチャージゼロ
- クロスオーバー損失の低減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率が向上し、次のことが可能になります。
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- システムコストの全体的な削減
説明
上面冷却型TOLTパッケージに収められたTP65H030G4PRS、650V、30mΩの窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IV plus SuperGaN® プラットフォームを使用したノーマリオフデバイスです。 高電圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と最適化された低電圧シリコンMOSFETを組み合わせて、優れた性能、標準的なドライブ回路との互換性により設計の容易さ、および高信頼性を実現します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 30 |
| RDSON (max) (mΩ) | 41 |
| Vth typ (V) | 4 |
| Id max @ 25°C (A) | 55.7 |
| Qg typ (nC) | 24.5 |
| Qoss (nC) | 135 |
| Ron * Qoss (FOM) | 4050 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1500 |
| Coss (Typical) (pF) | 127 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type |
|---|
| TOLT |
アプリケーション・ブロック図
 | 絶縁型モータドライブパワーステージ 最大3kWの高性能モータアプリケーション向け絶縁型GaNベース三相インバータモータドライブパワーステージ |
 | 3.3kW OBC・DC/DC一体型システム 共有トランスを使用した3.3 kW OBCおよびHV-LV DC/DCの統合プラットフォームで、高電圧バッテリと低電圧バッテリの同時充電が可能です。 |
 | 400VDC、2kW以上対応GaNハーフブリッジArduinoシールド 最大2kWの高効率AC/DC電力変換を実現し、拡張性のあるプロトタイピングが可能な、400V GaNハーフブリッジ搭載のArduinoシールド |
 | 3.7kWシングルマトリックスコンバータ BDS GaNデバイスと高周波トランスを採用した高効率シングルAC/DCマトリックスコンバータで、コンパクトかつ高出力の動作を実現します。 |
 | スマートBLDCシーリングファン(PFC付き) スマートシーリングファンは、センサレスベクトル制御とリモートWi-Fi/Bluetooth LE操作により、空気質を向上させます。 |
その他アプリケーション
- AIデータセンターおよびテレコム電源
- E-モビリティ充電
- PVインバーター
- 無停電電源装置(UPS)
- Battery Energy Storage System (BESS)