特長
- ロジックレベル動作（4Vゲート駆動）
- 過熱保護回路を内蔵
- 短絡に対する高い耐久性
- ラッチ型シャットダウン動作（0V復帰が必要）
- 電流制限回路を内蔵
- 高密度実装
- 電源電圧は12Vを適用
- AEC-Q101規格準拠
説明
このFETはジャンクション温度を感知しての過熱保護機能を有しています。 ゲート部に加熱保護シャットダウン回路を内蔵しています。 また、過消費電力、過電流などのジャンクション温度が高い場合、ゲート電圧をシャットダウンする動作があります。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 2 |
| Standard Pkg. Type | SOP-8 / SOIC-8 |
| Gate Level | Logic |
| VDSS (Max) (V) | 40 |
| ID (A) | 5 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 86 |
| Pch (W) | 1.5 |
| Series Name | Thermal FETs |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| SOP | 5 x 4 x 1.75 | 8 | 1.27 |
アプリケーション・ブロック図
 | ロボット掃除機 このスマートロボット掃除機は、環境マッピング、落下防止、障害物検出、自動充電、アプリ制御を備えています。 |
 | スマートスーツケース AI搭載のスマートスーツケースで、物体検出とハンズフリーの利便性を備えています。 |
 | スマートコネクティビティを備えた酸素濃縮器コントローラ RTOS対応MCU、タッチUI、Bluetooth接続によるスマートな酸素濃縮器制御。 |
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RZ/V2L
ルネサス独自のAIアクセラレータ「DRP-AI」と1.2GHz Dualコア Arm Cortex-A55 CPU、3Dグラフィックス、ビデオコーデックエンジン搭載の汎用マイクロプロセッサ
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SLG47105
HVPAKプログラマブルミックスドシグナルマトリックス、VDD Range: 2.3-5.5V、12 GPIOs、2 ACMPs、I2C、Quad Half-Bridge Driver (13.2V、2A)
データシート
ISL85403
2.5A Regulator with Integrated High-Side MOSFET for Synchronous Buck or Boost Buck Converter
データシート
| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | パッケージ | 参考価格（米ドル） | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJF0409JSP-00#J0 | Active | Available | 在庫あり | SOP | 1ku | $1.147 | 8# | Embossed Tape | 1 | Yes | MALAYSIA | JAPAN |
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- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- 製品別信頼性資料英語PDF 194 KB APR-24-H0365 2024年12月27日
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
- データシート日本語
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マニュアル、ガイド (2)
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- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
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アプリケーションノート、ホワイトペーパー (4)
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