特長
- 超高速スイッチング対応E-mode GaN HEMT
- JEDEC準拠のGaN技術
- シリコン互換パッケージフットプリントによる容易な設計移行
- オン抵抗：2.6mΩ（標準値）
- 高電力密度設計を実現する優れた熱性能
- ゼロ逆回復電荷（Qrr）
- 低ゲート電荷および低出力電荷による高効率化
RTP100E2P6G1FL GaN FET回路シンボル
説明
RTP100E2P6G1FLは、ルネサスの第1世代REXGaN®プラットフォームを採用した100V、2.6mΩのエンハンスメントモード（E-mode）窒化ガリウム（GaN）FETです。コンパクトな5mm × 6mm FCLGAパッケージを採用しています。 先進的なパッケージ技術により、超高速スイッチング性能と優れた熱特性を両立し、高効率かつ高電力密度設計を可能にします。 シリコン互換フットプリントにより、従来のシリコンMOSFETからGaN技術への移行を容易にし、開発期間の短縮、システムの小型化、および電力損失の低減に貢献します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 100 |
| V(TR)DSS max (V) | 120 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 2.6 |
| RDSON (max) (mΩ) | 3.6 |
| Vth typ (V) | 1.1 |
| Id max @ 25°C (A) | 34 |
| Qg typ (nC) | 9.4 |
| Qoss (nC) | 46 |
| Ron * Qoss (FOM) | 119.6 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1602 |
| Coss (Typical) (pF) | 562 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -40 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| FCLGA | 5.0 x 6.0 x 0.902 | 8 | 1.27 |
製品比較
 |  | |
| RTP100E2P6G1FL | RTP100E005G1FL | |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 2.6 | 5 |
| Theta-JA (°C/W) | 29.4 | 45 |
| IDS (A) @ Ta = 25°C | 30 | 17 |
| IDS (A) @ Tc = 25°C | 109 | 59 |
| Qoss (nC) | 46 | 24.2 |
| Qg typ (nC) | 9.4 | 5.2 |
| Pkg. Type | FCLGA | FCLGA |
| Pkg. Dimensions (mm) | 5.0 x 6.0 x 0.902 | 3.3 x 3.3 x 0.902 |
アプリケーション・ブロック図
 | 800V～48V DCXシステム 800V DCバスを48V DCに効率的に変換し、電気的絶縁を実現することで、高密度かつ高効率な電力供給を可能にします。 |
 | BLDC/PMSM向けGaNベースモータ駆動パワーステージ センシング機能と保護機能を内蔵し、絶縁・非絶縁設計に対応する最大3.3kWのGaNベースBLDC/PMSMモータ駆動パワーステージ |
 | ヒューマノイド用バッテリマネジメントシステム 安全なリアルタイムの電力管理、保護機能、およびバッテリ状態制御を実現する、ヒューマノイドロボット向け統合BMS。 |
 | DCサーボ 応答性の高いフィードバックとEtherCAT対応の産業用モータ制御を備えた高精度DCサーボです。 |
 | シングルステージDAB方式ソーラーマイクロインバータ 本システムは、GaN (窒化ガリウム) ベースのマイクロインバータにより、500Wの高密度かつ高効率な電力を供給します |
 | 無人航空機 (UAV) AIビジョン、精密なモータ制御、スマートバッテリ管理を備えたUAVシステム。 |
 | グリッド接続ソーラーマイクロインバータ 高性能MCU、MOSFET、ドライバを搭載したグリッド接続ユニットを備えたソーラーマイクロインバータシステム。 |
 | 3相RISC-Vモータコントローラ 事前にプログラムされた32ビットRISC-V ASSPを備えた3相モータコントローラ。 |
その他アプリケーション
- 通信機器およびAIデータセンタ向け48V中間バスコンバータ
- 同期整流回路およびDC/DCコンバータ
- バッテリ駆動ツール
- Class-Dオーディオアンプ
- エネルギー貯蔵システム（ESS）
- 48Vサーボドライブ
- ロボティクスシステム
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RAA211820
Integrated FET 75V, 2A Synchronous Buck Regulator with Internal Compensation and Programmable Frequency
データシート
RAA212832
72V 0.5A Step-Down Regulator with Fixed 6V or 12V Output, with Two 5V and 3.3V LDO Outputs and Standby Feature
データシート
| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | 参考価格（米ドル） | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Mounting Type | Temp. Range (°C) | Assembly Location | Wafer Fab Location |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RTP100E2P6G1FL-TR | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN RoHS:JA | FCLGA | 1ku | $1.5 | Tape & Reel | 3 | Surface Mount | -40 to +150°C | CHINA | Taiwan |
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- ホワイトペーパー英語PDF 2.81 MB 2026年10月01日Low-voltage GaN technology delivers significant gains in efficiency, power density, and switching performance over conventional silicon devices. This paper explores GaN fundamentals, key performance benefits, and applications in data center power conversion and motor drive systems, while providing guidance for evaluating low-voltage GaN adoption.
- データシート英語PDF 669 KB R07DS1688EU0101 Rev.1.01 2026年9月22日The RTP100E2P6G1FL is a 100V enhancement-mode gallium nitride (GaN) FET optimized for high-efficiency power conversion applications. Built on Renesas low-voltage GaN technology, it delivers ultra-fast switching, low conduction losses, and high power density to improve system efficiency and reduce footprint. The device supports AI data center, telecom, industrial, and battery-powered power systems.
- アプリケーションノート英語PDF 988 KB R07AN0054EU0100 Rev.1.00 2026年9月11日Renesas low-voltage GaN devices enable high-efficiency, high-power-density power conversion through ultra-fast switching and low-loss operation. Achieving optimal performance requires careful PCB layout and gate drive design to minimize parasitics and switching noise. This application note provides practical design recommendations and implementation guidance for low-voltage GaN power systems.
- モデル－SPICE英語ZIP 2 KB 2026年8月21日The RTP100E2P6G1FL PSpice model supports simulation and evaluation of a 100V E-mode GaN FET, helping engineers assess switching behavior and improve power system performance during the design process. The ZIP package includes a PSpice model library file (.lib) and LTspice symbol file (.asy) for integration into supported simulation environments.
- データシート英語PDF 669 KB R07DS1688EU0101 Rev.1.01 2026年9月22日The RTP100E2P6G1FL is a 100V enhancement-mode gallium nitride (GaN) FET optimized for high-efficiency power conversion applications. Built on Renesas low-voltage GaN technology, it delivers ultra-fast switching, low conduction losses, and high power density to improve system efficiency and reduce footprint. The device supports AI data center, telecom, industrial, and battery-powered power systems.
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RTP100E2P6G1FL 100V、2.6mΩ E-mode GaN FETを高効率電力変換アプリケーションで評価し、柔軟な開発プラットフォームにより設計の最適化を加速できます。 ルネサスの低電圧GaNソリューションを活用して、スイッチング性能、変換効率、および高電力密度化のメリットを評価できます。
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- モデル－SPICE英語ZIP 2 KB 2026年8月21日The RTP100E2P6G1FL PSpice model supports simulation and evaluation of a 100V E-mode GaN FET, helping engineers assess switching behavior and improve power system performance during the design process. The ZIP package includes a PSpice model library file (.lib) and LTspice symbol file (.asy) for integration into supported simulation environments.
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REXGaN 100V GaN FETs deliver ultra-fast switching, low power loss, and high-power density for next-generation power conversion applications. Built on the Renesas REXGaN platform, these e-mode GaN power transistors combine low RDS(on), advanced packaging, and enhanced thermal performance to improve system efficiency. Silicon footprint compatibility enables low-friction migration from traditional silicon-based solutions while supporting higher performance and power density.
ニュース＆ブログ
ブログ 2026年10月1日 |
