特長
- 入力電圧範囲4.5V〜18V
- 出力電圧は0.8V、±1%から調整可能
- 最大95%の効率
- 低電圧検出機能付きブートダイオード内蔵
- 電流モード制御
- DCM/CCM
- 内部または外部補償オプション
- 500kHzのスイッチング周波数オプション
- ISL85003で最大2MHzの外部同期
- ISL85003Aのソフトスタート時間を調整可能
- オープンドレインPGウィンドウコンパレータ
- 内蔵の保護機能
- 正および負の過電流保護
- 過電圧および過熱保護
- 入力過電圧保護
- 小型 12 Ld 3mm x 4mm デュアルフラットノーリード (DFN) パッケージ
説明
ISL85003とISL85003Aは、ハイサイドとローサイドのFETを内蔵した同期整流降圧レギュレータです。 このレギュレータは非常に効率的な連続 3A 電流を供給しながら、4.5V ～ 18V の入力電圧範囲で動作できます。これらはすべて、非常にコンパクトな3mm x 4mm DFNパッケージで提供されます。
ISL85003はルネサス独自の製造プロセスに基づいて設計されており、最適化された電流モード・コントローラを内蔵し、非常に低いrDS(ON)FETを実現するように設計されています。 ハイサイドNFETは65mΩのrDS(ON)を持つように設計されており、ローサイドNFETは45mΩのrDS(ON)を持つように設計されています。 これら2つのFETにより、デバイスは非常に高効率の電力を負荷に供給します。
ISL85003は、DCMとCCMを自動的に切り替えて、DCMの軽負荷効率を実現できます。 CCMのスイッチング周波数は内部で500kHzに設定されています。 このデバイスは、広いライン、負荷、および温度範囲にわたって±1%の最大スタティック・レギュレーション許容誤差を提供します。 出力は、外部抵抗を使用して最小 0.8V までユーザーが調整できます。EN を 0.6V 以上にすると、コントローラがイネーブルになります。レギュレータはプリバイアス出力をサポートしています。 故障保護は、正または負の過電流状態時の内部電流制限、出力および入力の低電圧および過電圧検出、および過熱監視回路によって提供されます。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Topology [Rail 1] | Buck |
| Outputs (#) | 1 |
| Input Voltage (Min) [Rail 1] (V) | 4.5 |
| Input Voltage (Max) [Rail 1] (V) | 18 - 18 |
| Output Voltage (Min) [Rail 1] (V) | 0.8 |
| Output Voltage (Max) [Rail 1] (V) | 15 |
| Output Current (Max) [Rail 1] (A) | 3 |
| Switching Frequency Range (Typical) (kHz) | 500 - 500 |
| Control Type | Current Mode |
| Peak Efficiency (%) | 95 |
| IQ [Rail 1] (µA) | 3200 |
| SYNCH Capability | Yes |
| Qualification Level | Standard |
| Temp. Range (°C) | -40 to +125°C |
| Simulation Model Available | iSim |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| DFN | 4.0 x 3.0 x 0.90 | 12 | 0.5 |
アプリケーション・ブロック図
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Ki規格 ワイヤレスパワートランシーバシステム (Tx)
NFC、スマート制御、スケーラブルな設計を備えた高効率のKiワイヤレスパワートランシーバシステム(Tx)。
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Ki規格ワイヤレスパワーレシーバシステム(Rx)
NFC、スマートコントロール、スケーラブルな設計を備えた高効率のKi規格ワイヤレスパワーレシーバシステム(Rx)。
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1.2kW高電圧GaN FET搭載インバータ
産業用モータドライブ用のGaNベースのPFCを備えた効率的な高電圧GaN FET搭載インバータ。
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その他アプリケーション
- ネットワークおよび通信機器
- 産業用機器のプロセス制御
- 多機能プリンター
- ポイントオブロードレギュレータ
- 標準12Vレール電源
- 組み込みコンピューティング