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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • ロジックレベル駆動型パワーMOS FET
  • 過熱遮断回路を内蔵しており,高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能
  • 負荷短絡に対する耐量が向上
  • 過熱遮断方式はラッチ型。過熱遮断回路動作後は,ゲート電圧0 バイアスで復帰
  • 電流制限回路を内蔵
  • 高密度実装が可能
  • 電源電圧は12 V を適用
  • AEC-Q101準拠

説明

ゲートの印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチ用MOS FETです。構造はパワーMOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。

パラメータ

属性
Qualification LevelAutomotive
Nch/PchNch
Channels (#)1
Standard Pkg. TypeSOP-8 / SOIC-8
Gate LevelLogic
VDSS (Max) (V)40
ID (A)10
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)37
Pch (W)2.5
Series NameThermal FETs

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
SOP5 x 4 x 1.7581.27

アプリケーション・ブロック図

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型名状態サンプル在庫パッケージ参考価格(米ドル)Lead Count (#)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Pb (Lead) FreeCountry of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
RJF0412JSP-00#J0ActiveAvailable在庫ありSOP1ku | $0.8768#Embossed Tape1YesMALAYSIAJAPAN

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