特長
- ロジックレベル駆動型パワーMOS FET
- 過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能
- 負荷短絡に対する耐量が向上
- 過熱遮断方式はラッチ型。過熱遮断回路動作後は，ゲート電圧0 バイアスで復帰
- 電流制限回路を内蔵
- 高密度実装が可能
- 電源電圧は12 V を適用
- AEC-Q101準拠
説明
ゲートの印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチ用MOS FETです。構造はパワーMOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SOP-8 / SOIC-8 |
| Gate Level | Logic |
| VDSS (Max) (V) | 40 |
| ID (A) | 10 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 37 |
| Pch (W) | 2.5 |
| Series Name | Thermal FETs |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| SOP | 5 x 4 x 1.75 | 8 | 1.27 |
アプリケーション・ブロック図
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