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特長

  • ロジックレベル駆動型パワーMOS FET
  • 過熱遮断回路を内蔵しており,高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能
  • 負荷短絡に対する耐量が向上
  • 過熱遮断方式はラッチ型。過熱遮断回路動作後は,ゲート電圧0 バイアスで復帰
  • 電流制限回路を内蔵
  • 高密度実装が可能
  • 電源電圧は12 V を適用
  • AEC-Q101準拠

説明

ゲートの印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチ用MOS FETです。構造はパワーMOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。

パラメータ

属性
Qualification Level Automotive
Nch/Pch Nch
Channels (#) 1
Standard Pkg. Type SOP-8 / SOIC-8
Simulation Model Available Yes
VDSS (Max) (V) 40
ID (A) 10
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) 37
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm) 23
Pch (W) 2.5
Mounting Type Surface Mount
Function Thermal FETs

パッケージオプション

Pkg. Type Pkg. Dimensions (mm) Lead Count (#)
SOP 5 x 4 x 1.75 8

アプリケーション・ブロック図

Universal USB PD Lab Power Supply & Monitor Block Diagram
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