説明
スイッチング用途（モータ駆動など）、ロードスイッチ用途に適したMOSFETです。 低オン抵抗、高速スイッチング、高ロバスト性を実現します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3x3 BSC |
| Gate Level | Logic |
| VDSS (Max) (V) | 30 |
| ID (A) | 25 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 6.3 |
| RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm) | 8.4 |
| Pch (W) | 15 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1350 |
| Qg typ (nC) | 10.4 |
| Series Name | RJK Series |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|
| HWSON | 8 | 0.65 |
アプリケーション・ブロック図
 | ペット監視用カメラロボット リアルタイムの映像、音声、ワイヤレスコントロールが可能なモバイルペット監視用カメラロボット。 |
 | スマート堆肥メーカー Wi-Fi、モータドライブ、タッチコントロールを特徴とするスマート堆肥メーカー設計により、迅速かつ効率的なプロトタイピングを実現します。 |
 | ロボット掃除機 このスマートロボット掃除機は、環境マッピング、落下防止、障害物検出、自動充電、アプリ制御を備えています。 |
 | 100W USB PD入力対応電源 USB PD入力、調整可能な出力電圧、および電流設定を備えた効率的な電源。 |
 | スマートゴミ箱 スマートゴミ箱は、環境とゴミのレベルを監視し、効率的なコミュニケーションを確保します。 |
 | スマートターミナルバックアップ電源システム 広い入力電圧、効率的なスーパーキャパシタの使用、および完全なエネルギ制御を備えたスマートバックアップ電源システム。 |
 | スーパーキャパシタによる低電力バックアップ このシステムは、スーパーキャパシタを使用して、バッテリの代替として信頼性の高い電力管理を提供します。 |
 | スマート電力量計用電源システム (4Gモジュール付き) スマートパワーメータシステムは、効率的なエネルギ使用で常時稼働を保証します。 |
 | 残量計付きバッテリマネジメントシステム リアルタイム残量計付きインテリジェントバッテリマネジメントシステム。2～4個のリチウムイオンセルに対応し、柔軟な充電オプションをサポート。 |
このデバイスに組み合わせたい製品
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ISL85403
2.5A Regulator with Integrated High-Side MOSFET for Synchronous Buck or Boost Buck Converter
データシート
SLG47105
HVPAKプログラマブルミックスドシグナルマトリックス、VDD Range: 2.3-5.5V、12 GPIOs、2 ACMPs、I2C、Quad Half-Bridge Driver (13.2V、2A)
データシート
| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | パッケージ | 参考価格（米ドル） | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJK03M5DNS-00#J5 | Active | Available | 在庫あり | HWSON | 1ku | $0.393 | 8# | Embossed Tape | 1 | Yes | MALAYSIA | JAPAN |
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2.5A Regulator with Integrated High-Side MOSFET for Synchronous Buck or Boost Buck Converter
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- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
推奨ドキュメント (1)
データシート (1)
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
マニュアル、ガイド (2)
- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
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アプリケーションノート、ホワイトペーパー (4)
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RZ/G3S Smallest System on Module (SoM) Gateway Solution
Based on Renesas RZ/G3S family architecture, the MSRZG3S system-in-package offers high-performance Arm® Cortex®-A55/dual Cortex-M33 cores. Combining compact design with extensive functionality, it delivers low-power consumption, thermal efficiency, and low-cost for embedded systems. Designed to meet OSM-standard specifications, the RZ/G3S general-purpose MPUs are built around Cortex-A55/dual Cortex-M33 CPU cores.
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スーパーキャパシタベースのターミナルバックアップ電源のリファレンスデザイン
このリファレンスデザインは、4.5V～40Vの広い入力電圧範囲と1A～20Aの出力に対応しています。 スーパーキャパシタをバックアップ電源として使用し、バッテリおよび電気二重層キャパシタ(EDLC)ベースのバックアップシステム向けのソリューションを提供します。
