特長
- VDSS = 80V
- 標準駆動電圧対応 :VGS(th) = 2.0V〜4.0V
- 超低オン抵抗:RDS(on) = 9.3mΩ 以下
- ID = 50A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- AEC-Q101 準拠
- 生産部品承認プロセス（PPAP）対応可能
- 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
- IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1
説明
RBA50N08EANS-5UA09 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、3x3 μSO8-FLパッケージで提供されます。 μSO8-FLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3x3 BSC |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 50 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 9.3 |
| Pch (W) | 57 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1800 |
| Qg typ (nC) | 31 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| uSO8-FL | 3.3 x 3.5 x 0.85 | 8 |
アプリケーション
- DC/DCオンボード充電
- ゾーンECU
- モータ制御
- バッテリマネジメントシステム
- ファン
- ポンプ
- カメラ／センサ電源
- ワイヤレス充電モジュール
- サーマルモジュールドライバ
- スイッチ
- LED照明