特長
- VDSS = 80V
- 標準駆動電圧対応：VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
- 低オン抵抗：RDS(on) = 17.2mΩ max.
- ID = 30A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- 100%アバランシェテスト済み
- 鉛フリー鉛めっき：RoHS対応
- IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1
説明
RBE172N08R1SZN2 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、3x3 μSO8-FLパッケージで提供されます。 μSO8-FLパッケージは、ウェッタブルフランクを備えた超小型のリードレス設計を特徴としており、強化された熱性能、信頼性、および組み立ての容易さをサポートします。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3x3 BSC |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 30 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 17.2 |
| Pch (W) | 37 |
| Ciss (Typical) (pF) | 990 |
| Qg typ (nC) | 17 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| uSO8-FL | 3.3 x 3.3 x 0.85 | 8 |
製品比較
| RBE172N08R1SZN2 | RBA30N08EANS-5UA17 | RBE093N08R1SZN2 | RBE056N08R1SZN6 | |
| VDSS (Max) (V) | 80 | 80 | 80 | 80 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 17.2 | 17.2 | 9.3 | 5.6 |
| ID (A) | 30 | 30 | 50 | 90 |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3x3 BSC | μSO8-FL 3x3 BSC | μSO8-FL 3x3 BSC | SO8-FL 5x6 BSC |
| Qualification Level | Industrial | Automotive | Industrial | Industrial |
アプリケーション
- モータ制御
- データセンター
- エネルギーインフラ
- 産業オートメーション
- DC/DC電源変換
- 電動工具
- ロボティクス