特長
- VDSS = 80V
- 標準駆動電圧対応: VGS(th) = 2.0~4.0V
- 超低オン抵抗: RDS(on) = 5.6mΩ max
- ID = 90A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- パッケージ: SO8-FL (5x6)
- 100% アバランシェテスト済み
- Pb-free: RoHS対応
- MSL1 (IPC/JEDEC J-STD-020)
説明
RBE056N08R1SZN6 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、5x6 SO8-FLパッケージで提供されます。 SO8-FLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 90 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 5.6 |
| Pch (W) | 100 |
| Ciss (Typical) (pF) | 2900 |
| Qg typ (nC) | 44 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| SO8-FL | 5.15 x 6.10 x 1.00 | 8 |
製品比較
| RBE056N08R1SZN6 | RBA90N08EANS-4UA06 | RBE024N08R1SZN6 | RBE031N08R1SZN6 | |
| VDSS (Max) (V) | 80 | 80 | 80 | 80 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 5.6 | 5.6 | 2.4 | 3.1 |
| ID (A) | 90 | 90 | 175 | 140 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC | SO8-FL 5x6 BSC | SO8-FL 5x6 BSC | SO8-FL 5x6 BSC |
| Qualification Level | Industrial | Automotive | Industrial | Industrial |
アプリケーション・ブロック図
| USB PD充電器のバッテリ管理 高効率USB PD充電器バッテリ管理システムは、最大240W、マルチセルパック、燃料計をサポート。 | |
| 産業イーサネット対応9軸モータ制御 ロボティクスおよび産業アプリケーション向けに設計された高精度で効率的な9軸モータ制御。 | |
| トルク制御システム 高精度AFEを搭載したMCUと信頼性の高いセンサで構成した精密なトルク制御により製品品質を確保します。 | |
| 電動工具用の汎用性の高いモータ制御 MCU駆動のモータ制御により、性能が向上し、設計が簡素化され、電動工具の効率が向上します。 |
その他アプリケーション
- モータ制御
- エネルギーインフラ
- 産業オートメーション
- DC/DC電力変換
- 電動工具
- ロボティクス
適用されたフィルター