特長
- RS-485 I/O ピンの IEC61000 ESD 保護: ±15kV
- 他のすべてのピンのクラス3 HBM ESDレベル:>9kV
- 大差動VOUT:2.8Vを54Ωに供給 優れたノイズ耐性、または最大6つの終端を駆動
- 高データレート:最大40Mbps
- +125°C動作で仕様を規定
- 11/13ns (最大) Tx/Rx 伝搬遅延1.5ns (最大)スキュー
- 1/5単位負荷により、バス上に最大160個のデバイスを接続可能
- フルフェイルセーフ(オープン、短絡、終端/非駆動)レシーバ
- 絶縁アプリケーション用のフォトカプラを駆動する高Rx IOL
- ホットプラグ - TxおよびRx出力は電源投入時にスリーステートのまま
- 低い自己消費電流:4mA
- 低電流シャットダウン・モード:1μA
- -7V〜+12Vのコモンモード入力電圧範囲
- スリーステートRxおよびTx出力
- +5V単一電源で動作(許容誤差10%)
- ドライバ過負荷保護のための電流制限およびサーマル・シャットダウン
- 鉛フリー (RoHS指令対応)
説明
ISL3159Eは、±15kV IEC61000 ESD保護、5V電源のシングルトランシーバで、平衡型通信のRS-485とRS-422の両方の規格に適合しています。 また、高速PROFIBUSアプリケーションに必要なより大きな出力電圧とより高いデータレート(最大40Mbps)を特長とし、産業用および拡張産業用(-40°C〜+ 125°C)温度範囲を提供します。 低いバス電流(+220μA/-150μA)で、RS-485バスに「1/5単位負荷」が与えられます。。 これにより、RS-485仕様の負荷制限を超えたり、リピータを使用したりすることなく、ネットワーク上で最大160個のトランシーバを使用できます。 このトランシーバは5V±10%の許容誤差の電源を必要とし、この電源範囲を超えても、少なくとも2.1Vの差動出力電圧を供給します。これは、優れたノイズ耐性(データインテグリティ)、より長いリーチ、または「スター」型で最大6つの120Ω終端を、非標準バストポロジかつ40Mbpsの優れたデータレートで駆動する能力につながります。 SCSIアプリケーションでは、ISL3159のレシーバおよびトランスミッタの部品間スキューが小さいというメリットがあります。 ISL3159は、多数のビットを同時に捕捉する必要がある高速パラレル・アプリケーションに最適です。 ビット間スキューが小さいため、データ・ラッチ信号のタイミング制約が緩和されます。 レシーバ(Rx)入力は「完全フェイルセーフ」設計を特長としており、Rx入力がフローティング、短絡、または終端が、なされているが駆動されていない場合に、高いRx出力を保証します。 Rx出力は高い駆動レベル(VOL = 1Vで標準>30mA)を特長としており、光学的に絶縁されたインタフェースの設計を容易にします。 ホットプラグ回路により、電源が安定している間、TxおよびRx出力の高インピーダンス状態を維持します。 ドライバ(Tx)出力は、電源電圧を超える電圧に対しても短絡保護が、なされています。 さらに、内蔵のサーマル・シャットダウン回路は消費電力が過大になった場合にTx出力を無効にし、ダメージを防止します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Temp. Range (°C) | -40 to +85°C, -40 to +125°C |
| Devices Allowed on Bus | 160 |
アプリケーション・ブロック図
| 単相電力メータ 柔軟性に優れたMCU制御のハイエンド単相パワーメータにより、より優れた制御と拡張性を実現。 | |
| 高精度ペルチェクーラーシステム リアルタイム制御、BOMの削減、シームレスな産業統合を備えた精密駆動のペルチェクーラーシステム。 | |
| 産業用センサネットワーク 柔軟なインタフェースとリアルタイム監視を備えたコンパクトな産業用センサネットワークシステム。 |
その他アプリケーション
- プロフィバス® DPおよびFMSネットワーク
- SCSI "Fast 40" ドライバおよびレシーバ
- モータコントローラ/位置エンコーダシステム
- ファクトリオートメーション
- フィールドバスネットワーク
- セキュリティネットワーク
- ビル環境制御システム
- 産業用/プロセス制御ネットワーク
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| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | 参考価格(米ドル) | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pitch (mm) | Pkg. Dimensions (mm) | Pb (Lead) Free | Pb Free Category | Temp. Range (°C) | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL3159EFBZ | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN | SOIC | 1ku | $0.94 | 8# | Tube | 3 | 1.3mm | 4.9 x 3.9 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +125°C | CHINA, TAIWAN, MALAYSIA | USA |
| ISL3159EFBZ-T | Active | N/A | 在庫あり | RoHS:EN | SOIC | 1ku | $0.94 | 8# | Reel | 3 | 1.3mm | 4.9 x 3.9 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +125°C | CHINA, TAIWAN, MALAYSIA | USA |
| ISL3159EFBZ-T7A | Active | N/A | 在庫あり | RoHS:EN | SOIC | 1ku | $1.39 | 8# | Reel | 3 | 1.3mm | 4.9 x 3.9 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +125°C | CHINA, TAIWAN, MALAYSIA | USA |
| ISL3159EFRZ | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN | DFN | 1ku | $0.94 | 10# | Tube | 3 | 0.5mm | 3.0 x 3.0 x 0.90 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +125°C | MALAYSIA | USA |
| ISL3159EFRZ-T | Active | N/A | 在庫切れ | RoHS:EN | DFN | 1ku | $0.94 | 10# | Reel | 3 | 0.5mm | 3.0 x 3.0 x 0.90 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +125°C | MALAYSIA | USA |
| ISL3159EFRZ-T7A | Active | N/A | 在庫あり | RoHS:EN | DFN | 1ku | $1.39 | 10# | Reel | 3 | 0.5mm | 3.0 x 3.0 x 0.90 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +125°C | MALAYSIA | USA |
| ISL3159EFUZ | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN | MSOP | 1ku | $0.94 | 8# | Tube | 1 | 0.7mm | 3.0 x 3.0 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +125°C | MALAYSIA | USA |
| ISL3159EFUZ-T | Active | N/A | 在庫あり | RoHS:EN | MSOP | 1ku | $0.94 | 8# | Reel | 1 | 0.7mm | 3.0 x 3.0 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +125°C | MALAYSIA | USA |
| ISL3159EIBZ | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN | SOIC | 1ku | $0.94 | 8# | Tube | 3 | 1.3mm | 4.9 x 3.9 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C | CHINA, TAIWAN, MALAYSIA | USA |
| ISL3159EIBZ-T | Active | N/A | 在庫あり | RoHS:EN | SOIC | 1ku | $0.94 | 8# | Reel | 3 | 1.3mm | 4.9 x 3.9 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C | CHINA, TAIWAN, MALAYSIA | USA |
| ISL3159EIRZ | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN | DFN | 1ku | $0.94 | 10# | Tube | 3 | 0.5mm | 3.0 x 3.0 x 0.90 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C | MALAYSIA | USA |
| ISL3159EIRZ-T | Active | N/A | 在庫切れ | RoHS:EN | DFN | 1ku | $0.94 | 10# | Reel | 3 | 0.5mm | 3.0 x 3.0 x 0.90 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C | MALAYSIA | USA |
| ISL3159EIUZ | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN | MSOP | 1ku | $0.94 | 8# | Tube | 1 | 0.7mm | 3.0 x 3.0 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C | MALAYSIA | USA |
| ISL3159EIUZ-T | Active | N/A | 在庫あり | RoHS:EN | MSOP | 1ku | $0.94 | 8# | Reel | 1 | 0.7mm | 3.0 x 3.0 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C | MALAYSIA | USA |
| ISL3159EIUZ-T7A | Active | N/A | 在庫あり | RoHS:EN | MSOP | 1ku | $1.39 | 8# | Reel | 1 | 0.7mm | 3.0 x 3.0 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C | MALAYSIA | USA |
| ISL3159EFUZ-T7A | Obsolete | N/A | 在庫あり | RoHS:EN | MSOP | 8# | Reel | 1 | 0.7mm | 3.0 x 3.0 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +125°C | |||
| ISL3159EIBZ-T7A | Obsolete | N/A | 在庫あり | RoHS:EN | SOIC | 8# | Reel | 3 | 1.3mm | 4.9 x 3.9 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C | |||
| ISL3159EIRZ-T7A | Obsolete | N/A | 在庫切れ | RoHS:EN | DFN | 10# | Reel | 3 | 0.5mm | 3.0 x 3.0 x 0.90 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C |
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- トレーニング英語PDF 762 KB R15TB0007EU0100 Rev.1.00 2023年12月04日
- トレーニング英語PDF 208 KB R15TB0004EU0100 Rev.1.00 2023年10月26日
- トレーニング英語PDF 405 KB R15TB0003EU0100 Rev.1.00 2023年6月26日
- トレーニング英語PDF 239 KB R15TB0002EU0100 Rev.1.00 2023年6月21日
- アプリケーションノート英語PDF 365 KB AN1978 2023年4月12日AI生成コンテンツ: The document details surge protection circuits for RS-485 transceivers, focusing on Level 4 (4kV) protection using gas discharge tubes (GDTs) for higher overvoltage and overcurrent tolerance. It compares protection schemes by component count, board area, and cost, highlighting that higher-level protection increases complexity and expense. The BOMs for Level 3 and Level 4 circuits list components such as transceivers, bidirectional TVS diodes, transient blocking units, thyristors or GDTs, and resistors. The GDT switching characteristic explains how it diverts transient currents to ground by transitioning from high impedance to a crowbar current path. Simpler protection can be achieved with overvoltage protected transceivers.
- アプリケーションノート英語PDF 207 KB an1985 2022年8月19日AI生成コンテンツ: Transient protection for RS-485 transceivers involves careful TVS diode design to prevent damage from high surge currents. Internal ESD structures in the ISL3152E share transient current with external TVS diodes, risking damage without current-limiting resistors. Using thick-film resistors under 200 ohms between TVS and transceiver limits surge current while minimizing bus voltage attenuation. Recommended PCB layout includes low-inductance ground and Vcc planes, 0603 resistors for wave or reflow soldering, and proper component placement to reduce inductance and enhance protection.
- アプリケーションノート英語PDF 474 KB AN1979 2022年8月16日AI生成コンテンツ: The document explains surge protection using Renesas’ Overvoltage Protected (OVP) transceivers with various protection schemes. It details the use of TVS diodes and thyristors to protect data lines against surge currents while maintaining low capacitance for high data rates. Different configurations address various common-mode voltage ranges and surge levels, ensuring compliance with IEC61000-4-5 standards. The paper includes calculations for peak protection voltages and discusses device characteristics and combinations for robust surge protection in industrial applications.
- 製品変更通知英語PDF 178 KB 2022年6月17日
- 技術概要英語PDF 188 KB R70TB0002EU0100 Rev.1.00 2022年5月17日
- 製品変更通知英語PDF 326 KB 2021年5月21日
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- アプリケーションノート英語PDF 207 KB an1985 2022年8月19日AI生成コンテンツ: Transient protection for RS-485 transceivers involves careful TVS diode design to prevent damage from high surge currents. Internal ESD structures in the ISL3152E share transient current with external TVS diodes, risking damage without current-limiting resistors. Using thick-film resistors under 200 ohms between TVS and transceiver limits surge current while minimizing bus voltage attenuation. Recommended PCB layout includes low-inductance ground and Vcc planes, 0603 resistors for wave or reflow soldering, and proper component placement to reduce inductance and enhance protection.
- アプリケーションノート英語PDF 474 KB AN1979 2022年8月16日AI生成コンテンツ: The document explains surge protection using Renesas’ Overvoltage Protected (OVP) transceivers with various protection schemes. It details the use of TVS diodes and thyristors to protect data lines against surge currents while maintaining low capacitance for high data rates. Different configurations address various common-mode voltage ranges and surge levels, ensuring compliance with IEC61000-4-5 standards. The paper includes calculations for peak protection voltages and discusses device characteristics and combinations for robust surge protection in industrial applications.
- アプリケーションノート英語PDF 178 KB r15an0002eu-rs-485-transient-protection 2019年10月28日
- ホワイトペーパー英語Industrial PC designs increasingly demand compact form factors and flexible communication interfaces. This paper explores how modern dual-protocol transceivers support both RS-232 and RS-485 standards while offering high integration and advanced configuration options. It also presents application examples that illustrate their versatility in industrial systems.もっと見る (16)
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (16)
- 製品変更通知英語PDF 178 KB 2022年6月17日
- 製品変更通知英語PDF 326 KB 2021年5月21日
- 製品変更通知英語PDF 266 KB 2020年6月04日
- 製品アドバイザリ英語PDF 106 KB PA16061 2016年6月08日もっと見る (9)
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- トレーニング英語PDF 719 KB R15TB0008EU0100 Rev.1.00 2023年12月18日
- トレーニング英語PDF 762 KB R15TB0007EU0100 Rev.1.00 2023年12月04日
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