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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • NチャンネルMOSFETハーフブリッジドライバ
  • SOIC、DFN、TDFNパッケージから選択可能
  • IPC-2221の100V導体間隔ガイドラインに準拠したSOIC, DFN, TDFNパッケージ
  • 鉛フリー(RoHS指令準拠)
  • ブートストラップ電源の最大電圧:114VDC
  • オンチップ1Wブートストラップ・ダイオード
  • マルチMHz回路向けの高速伝搬時間
  • 1nF負荷を9ns/7.5nsの標準的な立ち上がり/立ち下がり時間で駆動可能
  • CMOS互換入力スレッショルド(ISL2110)
  • 3.3V/TTL互換入力スレッショルド (ISL2111)
  • 独立した入力により柔軟性を確保
  • 起動時のトラブルがない
  • 電源グリッチ、グラウンド以下でのHSリンギング、高dv/dtでのHSスルーイングの影響を受けずに出力可能
  • 低消費電力
  • 広い電源電圧範囲 (8V~14V)
  • 電源電圧低下保護機能
  • 1.6W/1W (Typical) 出力プルアップ/プルダウン抵抗

説明

ISL2110, ISL2111は100V耐圧、高周波、ハーフブリッジのNチャンネルパワーMOSFETドライバICで、好評のハーフブリッジドライバHIP2100、HIP2101をベースに性能を向上させています。ピーク出力プルアップ/プルダウン電流は3A/4Aに増加してスイッチング電源の損失を大幅に低減し、多くのアプリケーションで外付けトーテムポールバッファが不要になりました。また、VDD動作電源範囲の下限が8VDCに拡張されました。ISL2110はノイズの多い環境で優れた動作を実現するために入力ヒステリシスを追加し、ISL2111の入力はISL2110と同様にVDD電源レールまで安全にスイングできるようになりました。

パラメータ

属性
Bootstrap Supply Voltage (Max) (V)114
VBIAS (Max) (V)14
Peak Pull-up Current (A)3
Peak Pull-down Current (A)4
Turn-On Prop Delay (ns)38
Turn-Off Prop Delay (ns)32
Rise Time (μs)0.009
Fall Time7.5
Temp. Range (°C)-40 to +125°C
Input Logic Level3.3V/TTL
Qualification LevelStandard

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
DFN4.0 x 4.0 x 0.9080.8
DFN4.0 x 4.0 x 0.90120.5
SOICN4.9 x 3.9 x 0.0081.3
TDFN4.0 x 4.0 x 0.75100.8

アプリケーション・ブロック図

Pure Sine Wave Home Inverter with BMS Block Diagram
家庭用正弦波インバータ(BMS付き)
高性能の家庭用正弦波インバータシステムは、安定した電力を供給し、コストを削減し、柔軟性を確保します。
Power Supply for 5G Systems Block Diagram
5Gインフラ用電源
5G用電源は、さまざまな5Gアプリケーション向けに高効率、低ノイズ、安定なパフォーマンスを提供します。
Interactive block diagram of the Peltier cooler system is features a 32-bit MCU with an integrated 24-bit delta-sigma ADC and integrated high-precision AFE on a single chip.
高精度ペルチェクーラーシステム
リアルタイム制御、BOMの削減、シームレスな産業統合を備えた精密駆動のペルチェクーラーシステム。

その他アプリケーション

  • テレコム用ハーフブリッジDC/DCコンバータ
  • テレコム用フルブリッジDC/DCコンバータ
  • 2スイッチフォワードコンバータ
  • アクティブクランプ式フォワードコンバータ
  • D級オーディオアンプ

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型名状態サンプル在庫RoHSパッケージ参考価格(米ドル)Lead Count (#)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Pitch (mm)Pkg. Dimensions (mm)Pb (Lead) FreePb Free CategoryTemp. Range (°C)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
ISL2111ABZActiveAvailable在庫ありRoHS:EN
SOIC1ku | $2.688#Tube11.3mm4.9 x 3.9 x 0.00YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3-40 to +125°CCHINAUSA
ISL2111ABZ-TActiveAvailable在庫切れRoHS:EN
SOIC1ku | $2.688#Reel11.3mm4.9 x 3.9 x 0.00YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3-40 to +125°CCHINAUSA
ISL2111AR4Z-TActiveAvailable在庫切れRoHS:EN
DFN1ku | $2.7612#Reel20.5mm4.0 x 4.0 x 0.90YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3-40 to +125°CMALAYSIAUSA
ISL2111ARTZActiveAvailable在庫ありRoHS:EN
TDFN1ku | $2.7610#Tray20.8mm4.0 x 4.0 x 0.75YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3-40 to +125°CMALAYSIAUSA
ISL2111ARTZ-TActiveAvailable在庫ありRoHS:EN
TDFN1ku | $2.7610#Reel20.8mm4.0 x 4.0 x 0.75YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3-40 to +125°CMALAYSIAUSA
ISL2111BR4Z-TActiveAvailable在庫切れRoHS:EN
DFN1ku | $2.768#Reel20.8mm4.0 x 4.0 x 0.90YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3-40 to +125°CMALAYSIAUSA
ISL2111AR4ZObsoleteN/A在庫ありRoHS:EN
DFN12#Tray20.5mm4.0 x 4.0 x 0.90YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3-40 to +125°C
ISL2111BR4ZObsoleteN/A在庫ありRoHS:EN
DFN8#Tray20.8mm4.0 x 4.0 x 0.90YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3-40 to +125°C

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