特長
- VDSS = 100V
- 標準駆動電圧対応：VGS(th) = 2.0~4.0V
- 低オン抵抗：RDS(on) = 21mΩ以下
- ID = 20A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- パッケージ：μSO8-FL (3x3)
- 100%アバランチテスト済み
- 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
- IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1
RBE210N10R1SZN2 Outline
説明
RBE210N10R1SZN2 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、3x3 μSO8-FLパッケージで提供されます。 超小型パッケージは従来のDPAKより約90%小さく、基板スペースの削減と設計の柔軟性向上に貢献します。 さらに、優れた半田付け性を提供し、信頼性の高い光学検査をサポートするウェッタブル・フランクリードを採用しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3x3 BSC |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| ID (A) | 20 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 21 |
| Pch (W) | 37 |
| Ciss (Typical) (pF) | 930 |
| Qg typ (nC) | 16 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Lead Count (#) |
|---|---|
| uSO8-FL | 8 |
アプリケーション・ブロック図
 | ヒューマノイド用バッテリマネジメントシステム 安全なリアルタイムの電力管理、保護機能、およびバッテリ状態制御を実現する、ヒューマノイドロボット向け統合BMS。 |
 | 家庭用給水ポンプ 低消費電力、騒音低減、安全性の向上により、効率的な運転を実現したスマート給水ポンプシステム。 |
 | スマートリモコンを備えたガス給湯器 リモコン、コンパクトな2チップMCU設計、正確な温度制御を備えたガス給湯器。 |
その他アプリケーション
- モータ制御
- エネルギーインフラ
- 産業オートメーション
- DC/DC電力変換
- 電動工具
- ロボティクス
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| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | 参考価格（米ドル） | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RBE210N10R1SZN2#HB0 | Active | Available | 在庫切れ | RoHS:EN RoHS:JA | uSO8-FL | 1ku | $0.28 | 8# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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- アプリケーションノート英語PDF 599 KB R07AN0052EJ0100 Rev.1.00 2026年5月27日REXFET PLECS models enable accurate simulation of power MOSFET behavior, including electrical and thermal characteristics. The model integrates channel and body diode behavior, supports configurable simulation parameters, and provides probe functions for switching, conduction, and temperature analysis. This application note outlines installation, library integration, model configuration, and usage considerations to optimize simulation results.関連ファイル：
- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- データシート英語RBE210N10R1SZN2 DatasheetRECOMMENDEDPDF 473 KB R07DS1634EJ0101 Rev.1.01 2026年4月03日The RBE210N10R1SZN2 N-channel power MOSFET features REXFET-1 split-gate technology and is offered in a 3x3 μSO8-FL package. The μSO8-FL package features an ultra-compact, leadless design with Wettable Flanks to support enhanced thermal performance, reliability, and ease of assembly. Renesas' split-gate technology is well-suited for applications requiring low RDS(on) and high switching performance in high-power, high-frequency environments.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
- アプリケーションノート英語PDF 722 KB R07AN0040EJ0100 Rev.1.00 2024年11月13日AI生成コンテンツ: 48V automotive electrical systems enhance power capacity and efficiency by reducing current and cable size, enabling lighter and more compact vehicle designs. Renesas develops the REXFET-1 series MOSFETs with advanced wafer and package technologies, achieving ultra-low ON-resistance and high reliability for middle-voltage applications. The TOLL and TOLG packages optimize thermal performance, EMI behavior, and space, supporting up to 300A current. These MOSFETs meet automotive standards, improve switching efficiency, and reduce heat dissipation, facilitating the demands of electric and hybrid vehicles' powertrains and auxiliary systems.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: パワーMOSFETの並列接続では、素子間の電流バランスを確保することが重要である。導通時にはRDS(on)や配線抵抗の差が電流アンバランスを引き起こし、スイッチング時にはVGS(th)の差や寄生インダクタンスが影響する。同一ロットの素子を使用し、対称的な基板レイアウトを設計することで問題を軽減できる。アバランシェ動作は素子破壊の原因となるため避けるべきである。並列接続では寄生発振が起こりやすく、ゲート抵抗の追加で抑制可能である。適切な設計と素子選定が信頼性向上に寄与する。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
- データシート英語RBE210N10R1SZN2 DatasheetRECOMMENDEDPDF 473 KB R07DS1634EJ0101 Rev.1.01 2026年4月03日The RBE210N10R1SZN2 N-channel power MOSFET features REXFET-1 split-gate technology and is offered in a 3x3 μSO8-FL package. The μSO8-FL package features an ultra-compact, leadless design with Wettable Flanks to support enhanced thermal performance, reliability, and ease of assembly. Renesas' split-gate technology is well-suited for applications requiring low RDS(on) and high switching performance in high-power, high-frequency environments.
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推奨ドキュメント (2)
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データシート (1)
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
マニュアル、ガイド (2)
- アプリケーションノート英語PDF 599 KB R07AN0052EJ0100 Rev.1.00 2026年5月27日REXFET PLECS models enable accurate simulation of power MOSFET behavior, including electrical and thermal characteristics. The model integrates channel and body diode behavior, supports configurable simulation parameters, and provides probe functions for switching, conduction, and temperature analysis. This application note outlines installation, library integration, model configuration, and usage considerations to optimize simulation results.関連ファイル：
- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (9)
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