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特長

  • VDSS = 100V
  • 標準駆動電圧対応:VGS(th) = 2.0~4.0V
  • 低オン抵抗:RDS(on) = 21mΩ以下
  • ID = 20A
  • 低入力容量
  • 低熱抵抗
  • パッケージ:μSO8-FL (3x3)
  • 100%アバランチテスト済み
  • 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
  • IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1

説明

RBE210N10R1SZN2 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、3x3 μSO8-FLパッケージで提供されます。 超小型パッケージは従来のDPAKより約90%小さく、基板スペースの削減と設計の柔軟性向上に貢献します。 さらに、優れた半田付け性を提供し、信頼性の高い光学検査をサポートするウェッタブル・フランクリードを採用しています。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。

パラメータ

属性
Qualification Level Industrial
Nch/Pch Nch
Channels (#) 1
Standard Pkg. Type μSO8-FL
Simulation Model Available Yes
VDSS (Max) (V) 100
ID (A) 20
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) 21
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm) 18.1
Pch (W) 37
Vgs (off) (Max) (V) 4
VGSS (V) 20
Ciss (Typical) (pF) 930
Qg typ (nC) 16
Mounting Type Surface Mount
Function Power MOSFETs

パッケージオプション

Pkg. Type Lead Count (#)
μSO8-FL 8

アプリケーション・ブロック図

Interactive block diagram of the tankless gas water heater system features two MCUs, a sensor, a temperature and humidity sensor and supports both Bluetooth Low Energy and Wi-Fi.
スマートリモコンを備えたガス給湯器
リモコン、コンパクトな2チップMCU設計、正確な温度制御を備えたガス給湯器。

その他アプリケーション

  • モータ制御
  • エネルギーインフラ
  • 産業オートメーション
  • DC/DC電力変換
  • 電動工具
  • ロボティクス

適用されたフィルター