特長
- VDSS = 100V
- 標準駆動電圧対応：VGS(th) = 2.0~4.0V
- 超低オン抵抗：RDS(on) = 2.9mΩ以下
- ID = 160A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- パッケージ：SO8-FL (5x6)
- 100%アバランチテスト済み
- 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
- IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1
説明
RBE029N10R1SZN6 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、5x6 SO8-FLパッケージで提供されます。 SO8-FLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| ID (A) | 160 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 2.9 |
| Pch (W) | 165 |
| Ciss (Typical) (pF) | 6500 |
| Qg typ (nC) | 91 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| SO8-FL | 5.15 x 6.10 x 1.00 | 8 |
アプリケーション・ブロック図
 | e-BIKEシステム 高度なMCU、電源、BMSデバイスを備えた完全なe-BIKEシステムは、走行を延長し、制御を強化します。 |
その他アプリケーション
- モータ制御
- エネルギーインフラ
- 産業オートメーション
- DC/DC電力変換
- 電動工具
- ロボティクス