特長
- 3相ブリッジ構成で6個のNチャンネルMOSFETを独立駆動
- 最大ブートストラップ電圧：DC95V、バイアス電圧：7V〜15V
- 1.25A（ピーク）のターンオフ電流
- ユーザーによるデッドタイムの設定が可能（0.5μs～4.5μs）
- ブートストラップとオプションのチャージポンプにより、ハイサイド・ドライバ・バイアス電圧を維持
- ブートストラップ・リフレッシュ時間をプログラム可能
- 立ち上がり時間20ns、立ち下がり時間10nsで1000pFの負荷を駆動
- 不足電圧設定値をプログラム可能
HIP4086_HIP4086A Functional Diagram
説明
HIP4086とHIP4086A（以下、HIP4086/A）は3相NチャンネルMOSFETドライバです。両製品とも、特にPWMモータ制御をターゲットにしています。これらのドライバはあらゆるスイッチの組み合わせを駆動するための柔軟な入力プロトコルを備えています。また、スイッチドリラクタンスアプリケーション用のシュートスルー保護を無効にすることも可能です。HIP4086/Aは、プログラム可能なデッドタイムの範囲が広く（0.5μs～4.5μs）、モータ駆動に通常使用される低周波数（最大100kHz）に非常に適しています。HIP4086とHIP4086Aの唯一の違いは、HIP4086Aは内蔵のチャージポンプが無効化されていることです。これは、非常に静かなEMI性能を必要とするアプリケーションで有効です（チャージポンプは10MHzで動作します）。対して、HIP4086の利点は内蔵チャージポンプにより、ハイサイドドライバをオンにする時間を無制限に長くできることです。電源投入前にハイサイドドライバのブート・キャパシタが完全に充電されていることを確認するために、VDDが最初に印加された時にプログラム可能なブートストラップ・リフレッシュ・パルスがアクティブになります。このリフレッシュパルスがアクティブになると、3つのローサイドブリッジFETをすべてオンにする一方、3つのハイサイドブリッジFETをオフにして、ハイサイドブートコンデンサを充電します。リフレッシュパルスがクリアされた後、通常の動作が開始されます。HIP4086/Aのもう1つの便利な機能は、不足電圧設定値がプログラム可能であることです。設定値の範囲は6.6Vから8.5Vです。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Function | 3-Phase MOSFET Driver |
| Input Voltage Range (V) | 7 - 80 |
| Input Voltage (Max) (V) | 95 |
| VBIAS (Max) (V) | 15 |
| Quiescent Current | 40 µA |
| ISOURCE (Max) (mA) | 500 |
| ISINK (Max) (mA) | 1100 |
| Internal Buck Regulator | No |
| Gate Drive (V) | 15 |
| Internal Auxiliary Power | No |
| Adaptive Dead Time | No |
| VOUT Slew-rate Control | No |
| Charge Pump | Yes |
| Intern Gain Amplifiers | No |
| Internal Sample & Hold | No |
| Input Control | HI/LI |
| Input Logic Level | 3.3V/TTL |
| Advanced Fault Protection | Yes |
| Qualification Level | Standard |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| SOICW | 15.4 x 7.5 x 0.00 | 24 | 1.3 |
アプリケーション・ブロック図
 | 電線検出機能付き多機能コードレスドリル IoTを備えたコードレスドリル設計により、電線検出、Bluetooth制御、角度調整、視認性の向上が可能になります。 |
 | 48V BLDC モータ位置制御 正確な制御、迅速なウェイクアップ、シームレスなコンポーネント統合を備えた効率的なBLDCモータシステム。 |
その他アプリケーション
- ブラシレスモータ(BLDC)
- 3相ACモータ
- スイッチドリラクタンスモータドライブ
- バッテリー駆動の自動車
- バッテリー駆動の工具
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| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | 参考価格（米ドル） | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Peak Pull-down Current (A) | Peak Pull-up Current (A) | Pitch (mm) | Pkg. Dimensions (mm) | Pb (Lead) Free | Pb Free Category | Temp. Range (°C) | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HIP4086ABZ | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN | SOICW | 1ku | $3.71 | 24# | Tube | 3 | 1.1A | 0.5A | 1.3mm | 15.4 x 7.5 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +105°C | CHINA, MALAYSIA, PHILIPPINES | USA |
| HIP4086ABZT | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN | SOICW | 1ku | $3.71 | 24# | Reel | 3 | 1.1A | 0.5A | 1.3mm | 15.4 x 7.5 x 0.00 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +105°C | CHINA, MALAYSIA, PHILIPPINES | USA |
| HIP4086AB | Obsolete | N/A | 在庫切れ | 問合せ | SOICW | 24# | Tube | 1 | 1.1A | 0.5A | 1.3mm | 15.4 x 7.5 x 0.00 | No | Solder Plate | -40 to +105°C | |||
| HIP4086ABT | Obsolete | N/A | 在庫あり | 問合せ | SOICW | 24# | Reel | 1.1A | 0.5A | 1.3mm | 15.4 x 7.5 x 0.00 | No | -40 to +105°C | |||||
| HIP4086APZ | Obsolete | N/A | 在庫切れ | RoHS:EN | PDIP | 24# | Tube | Not Applicable | 1.1A | 0.5A | 2.5mm | 31.8 x 6.6 x 3.94 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +105°C |
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- 製品変更通知英語PDF 809 KB PCN16085 2017年1月13日
- 製品変更通知英語PDF 98 KB PCN12094 2012年12月19日
- 製品変更通知英語PDF 86 KB PCN12086 2012年10月24日
- アプリケーションノート英語PDF 397 KB an1684 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document outlines important legal disclaimers and usage guidelines for semiconductor products. It emphasizes user responsibility for product design and safety, disclaims liability for damages, and clarifies no intellectual property licenses are granted. Products are categorized by quality grades with specific application recommendations. Users must comply with laws, avoid unauthorized modifications, and ensure safe use within specified conditions. Contact details for Renesas Electronics sales offices worldwide are provided.
- アプリケーションノート英語PDF 509 KB an1681 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document explains grounding techniques for PCB layouts using a dual op amp example on a single-layer copper board. It compares three grounding schemes: a center spine ground trace, an outer ground plane, and a split/star ground plane, highlighting the benefits of single-point grounding to minimize noise and antenna effects. It emphasizes following current paths, minimizing loop lengths, and ensuring close forward and return paths to reduce interference. The document also includes disclaimers on product use, quality grades, safety, and legal compliance.
- アプリケーションノート英語PDF 576 KB an1116 2004年1月05日AI生成コンテンツ: The document details various CMOS driver circuits including a self-powered DC stable 100V half bridge driver using EL7972 and EL7501, an IGBT half bridge driver with EL7981, and a self-oscillating IGBT driver operating at 25kHz. It also covers a 40W 12V synchronous step-down regulator using EL7761, a simple undervoltage lockout circuit using zener diodes, and a video sync pulse generator with EL7501. Additionally, it explains a resonant gate driver circuit that boosts gate voltage swing and improves efficiency by using external diodes and inductors.
- その他資料英語PDF 180 KB tb406 2001年7月14日
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- アプリケーションノート英語PDF 509 KB an1681 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document explains grounding techniques for PCB layouts using a dual op amp example on a single-layer copper board. It compares three grounding schemes: a center spine ground trace, an outer ground plane, and a split/star ground plane, highlighting the benefits of single-point grounding to minimize noise and antenna effects. It emphasizes following current paths, minimizing loop lengths, and ensuring close forward and return paths to reduce interference. The document also includes disclaimers on product use, quality grades, safety, and legal compliance.
- アプリケーションノート英語PDF 576 KB an1116 2004年1月05日AI生成コンテンツ: The document details various CMOS driver circuits including a self-powered DC stable 100V half bridge driver using EL7972 and EL7501, an IGBT half bridge driver with EL7981, and a self-oscillating IGBT driver operating at 25kHz. It also covers a 40W 12V synchronous step-down regulator using EL7761, a simple undervoltage lockout circuit using zener diodes, and a video sync pulse generator with EL7501. Additionally, it explains a resonant gate driver circuit that boosts gate voltage swing and improves efficiency by using external diodes and inductors.
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HIP4086DEMO1Z
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3-Phase MOSFET Driver for BLDC Motors Demonstration Board
The HIP4086DEMO1Z is a general purpose 3-phase BLDC motor drive with a microprocessor based controller. It demonstrates the HIP4086 80V, 500mA, 3-phase MOSFET driver IC.
Hall effect shaft position sensors are used to control the switching sequence of the three 1/2 bridge outputs. The bridge... 続きを読む
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MOTOR-RSSK-RA6T1
アクティブ
Motor Control Evaluation System for RA Family - RA6T1 Group
RA ファミリ、RA6T1 グループ用モータ制御評価システムは、誰でもモータ制御を簡単に評価できる低電圧永久磁石同期モータ (ブラシレス DC モータ) ソリューションです。 ルネサスのウェブサイトからダウンロードできるキットのハードウェアとソフトウェアを使用して、すぐにモータ制御の評価を開始できます。
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This video discusses the HIP4086, 80V, 500mA, 3-Phase MOSFET Driver, at APEC 2013.
