特長
- VDSS = 100V
- 標準駆動電圧対応：VGS(th) = 2.0~4.0V
- 低オン抵抗:RDS(on) = 21mΩ以下
- ID = 20A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- パッケージ：μSO8-FL (3x3)
- 100%アバランチテスト済み
- AEC-Q101 準拠
- 生産部品承認プロセス（PPAP）対応可能
- 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
- IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1
説明
RBA20N10EANS-5UA21 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、3x3 μSO8-FLパッケージで提供されます。 超小型パッケージは従来のDPAKより約90%小さく、基板スペースの削減と設計の柔軟性向上に貢献します。 さらに、優れた半田付け性を提供し、信頼性の高い光学検査をサポートするウェッタブル・フランクリードを採用しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3x3 BSC |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| ID (A) | 20 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 21 |
| Pch (W) | 37 |
| Ciss (Typical) (pF) | 930 |
| Qg typ (nC) | 16 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| μSO8-FL | 3.30 x 3.50 x 0.85 | 8 |
アプリケーション・ブロック図
|
12V/48V EV/HEVシステム用双方向DC/DCコンバータ
12V/48VのEVおよびHEVシステムに最適な高効率双方向DC/DCコンバータです。
|
その他アプリケーション
- DC/DCオンボード充電
- ゾーンECU
- モータ制御
- バッテリマネジメントシステム
- ファン
- ポンプ
- カメラ／センサ電源
- ワイヤレス充電モジュール
- サーマルモジュールドライバ
- スイッチ
- LED照明