特長
- VDSS = 80V
- 標準駆動電圧対応 :VGS(th) = 2.0V〜4.0V
- 超低オン抵抗:RDS(on) = 5.6mΩ 以下
- ID = 90A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- AEC-Q101 準拠
- 生産部品承認プロセス（PPAP）対応可能
- 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
- IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1
説明
RBA90N08EANS-4UA06 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、5x6 SO8-FLパッケージで提供されます。 SO8-FLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 90 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 5.6 |
| Pch (W) | 100 |
| Ciss (Typical) (pF) | 3100 |
| Qg typ (nC) | 47 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| SO8-FL | 5.15 x 6.10 x 1.00 | 8 |
製品比較
| RBA90N08EANS-4UA06 | RBE056N08R1SZN6 | |
| VDSS (Max) (V) | 80 | 80 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 5.6 | 5.6 |
| ID (A) | 90 | 90 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC | SO8-FL 5x6 BSC |
| Qualification Level | Automotive | Industrial |
アプリケーション・ブロック図
 | X-in-1電気自動車ユニット 効率的なモータ制御、充電、DC/DC変換のための統合型X-in-1 EV電源システム。 |
その他アプリケーション
- DC/DCオンボード充電
- ゾーンECU
- モータ制御
- バッテリマネジメントシステム
- ファン
- ポンプ
- パワーシート
- サンルーフ
- 電動パワーステアリング
- 電動パーキングブレーキ
- 電動コンプレッサ
- スイッチ
- LED照明