特長
- Gen IVテクノロジー
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
- 性能向上のためのケルビンソース
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
説明
TP65H070G4RS 650V 72mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、Gen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。
このTP65H070G4RSは、ケルビンソースと共通ソースパッケージ構成の業界標準のTOLTで提供されます。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 72 |
| RDSON (max) (mΩ) | 85 |
| Vth typ (V) | 4 |
| Id max @ 25°C (A) | 29 |
| Qg typ (nC) | 9 |
| Qoss (nC) | 80 |
| Ron * Qoss (FOM) | 5760 |
| Ciss (Typical) (pF) | 638 |
| Coss (Typical) (pF) | 72 |
| trr (Typical) (nS) | 80 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TOLT | 10 x 15 | 16 |
アプリケーション・ブロック図
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X-in-1電気自動車ユニット
効率的なモータ制御、充電、DC/DC変換のための統合型X-in-1 EV電源システム。
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その他アプリケーション
- データコム
- 幅広い産業
- PVインバーター
- サーボ モーター
- コンピューティング