概要
説明
TO-247パッケージに収められたTP65H030G4PWS、650V、30mΩの窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IVおよびSuperGaN® プラットフォームを使用したノーマリオフデバイスです。 高電圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と最適化された低電圧シリコンMOSFETを組み合わせて、優れた性能、標準的なドライブ回路との互換性により設計の容易さ、および高信頼性を実現します。
特長
- 30mΩ、650V GaNデバイス、TO-247パッケージ
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- リバースリカバリーチャージゼロ
- クロスオーバー損失の低減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率が向上し、次のことが可能になります。
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- システムコストの全体的な削減
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 913 KB | |
| マニュアル－ハードウェア | PDF 2.38 MB | |
| アプリケーションノート | PDF 380 KB | |
| ホワイトペーパー | PDF 1.92 MB | |
| その他資料 | ZIP 283 KB | |
5件
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設計・開発
サポート
ビデオ&トレーニング
The latest generation of high-voltage Gallium Nitride (GaN) FETs offers superior thermal efficiency and ultra-low power loss, enabling high-density power conversion in multi-kilowatt AI datacenters, industrial systems, and charging applications.
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