特長
- VDSS = 150V
- 標準駆動電圧対応：VGS(th) = 2.2~3.7V
- 超低オン抵抗：RDS(on) = 3.9mΩ以下
- ID = 190A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- パッケージ：TOLL
- 100%アバランチテスト済み
- 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
- IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1
説明
RBE039N15R1SZQ4 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLLパッケージで提供されます。TOLLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TOLL |
| VDSS (Max) (V) | 150 |
| ID (A) | 190 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 3.9 |
| Pch (W) | 319 |
| Ciss (Typical) (pF) | 5500 |
| Qg typ (nC) | 76 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TOLL | 9.90 x 11.68 x 2.30 | 9 |
アプリケーション
- モータ制御
- エネルギーインフラ
- 産業オートメーション
- DC/DC電力変換
- 電動工具
- ロボティクス