特長
- On-chip micro-isolator (isolated circuit)
- High-voltage isolation: 3750Vrms for 1min
- High common-mode transient immunity (CMTI): over 150V/ns
- High-output gate drive circuit
- Gate drive output peak current (Source/Sink): 10A typ. / 10A typ.
- On-chip active Miller clamp
- Soft turn-off function
- Various on-chip protection circuits:
- Overcurrent detection via current sense: 0.7V typ.
- On-chip undervoltage lockout (UVLO):
- VCC1 (5V system): 4.1V typ.
- VCC2 (15V system): 10V typ.
- Fault alarm outputs on FOB pin and latched fault status reset via RSTB pin
- Operating temperature: –40 °C to 125 °C (junction temperature: 150 °C max)
- AEC-Q100 qualified (Grade 1)
RAJ2930104AGM Block Diagram
説明
The RAJ2930104AGM is a gate driver IC for IGBT and SiC MOSFET gate drive in high-voltage inverter applications. Integrated 3.75kVrms micro-isolators provide data transfer with high-voltage isolation between the primary circuit (MCU side) and the secondary circuit (IGBT side). In addition, it boasts superior common-mode transient immunity (CMTI) performance of over 150V/ns, ensuring reliable communication and increased noise immunity while meeting the high voltages and fast switching speeds required in inverter systems. This device contains a gate drive circuit, Miller clamp circuit, and soft turn-off circuit, as well as several types of protection circuits, such as overcurrent detection.
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Vcc (V) | 5-20V |
| Input Voltage Range (V) | 4.5 - 5.5 |
| Number of Controlled Supplies (#) | 1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| SOP16 | 7.5 x 10.3 x 2.3 | 16 | 1.27 |
アプリケーション・ブロック図
 | ヒューマノイド用バッテリマネジメントシステム 安全なリアルタイムの電力管理、保護機能、およびバッテリ状態制御を実現する、ヒューマノイドロボット向け統合BMS。 |
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| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Pb (Lead) Free | Temp. Range (°C) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RAJ2930104AGM | Active | N/A | Out of Stock | SOP | 16# | Yes | -40 to +125°C |
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- 製品変更通知英語PDF 304 KB C26-04-HADS-0001 2026年4月28日
- データシート英語RAJ2930104AGM DatasheetRECOMMENDEDPDF 1.96 MB R33DS0042EJ0101 Rev.1.01 2026年1月27日The RAJ2930104AGM gate driver IC provides high-voltage isolation and noise immunity for driving IGBTs and SiC MOSFETs in traction inverters and automotive power systems. It supports 3750Vrms insulation, 150V/ns CMTI, and 10A peak gate drive. Features include current sense protection, active Miller clamp, soft turn-off, and PWM interlock for shoot-through prevention.
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