特長
- ロジックレベル (4V) 駆動可能なパワーMOS FET です
- 過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能
- 負荷短絡に対する耐量が向上しています
- 過熱遮断方式はヒステリシス型です。素子温度が所定の温度まで下がると自動的に復帰します
- 高密度実装が可能
- 電流制限回路を内蔵しております
- 電源電圧12 V, 24 V 適用
- AEC-Q101 Rev-E 準拠
説明
本製品はゲート印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵しており，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 2 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Gate Level | Logic |
| VDSS (Max) (V) | 60 |
| ID (A) | 7 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 80 |
| RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm) | 100 |
| Pch (W) | 30 |
| Series Name | Thermal FETs |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| HSON | 5.4 x 5 x 1.45 | 8 |
アプリケーション・ブロック図
 | Humanoid Battery Management System Integrated humanoid robot BMS enabling safe, real-time power management, protection, and battery-state control. |