特長
- ロジックレベル (4V) 駆動可能なパワーMOS FET です
- 過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能
- 負荷短絡に対する耐量が向上しています
- 過熱遮断方式はヒステリシス型です。素子温度が所定の温度まで下がると自動的に復帰します
- 高密度実装が可能
- 電流制限回路を内蔵しております
- 電源電圧12 V, 24 V 適用
- AEC-Q101 Rev-E 準拠
説明
本製品はゲート印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵しており，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 2 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Gate Level | Logic |
| VDSS (Max) (V) | 60 |
| ID (A) | 7 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 80 |
| RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm) | 100 |
| Pch (W) | 30 |
| Series Name | Thermal FETs |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| HSON | 5.4 x 5 x 1.45 | 8 |
アプリケーション・ブロック図
 | ヒューマノイド用バッテリマネジメントシステム 安全なリアルタイムの電力管理、保護機能、およびバッテリ状態制御を実現する、ヒューマノイドロボット向け統合BMS。 |
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| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | 参考価格（米ドル） | Standard Pkg. Type | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJF0626JNS-00#Q7 | Active | Available | 在庫あり | RoHS:EN RoHS:JA | HSON | 1ku | $1.06 | SO8-FL 5x6 BSC | Embossed Tape | 1 | JAPAN | JAPAN |
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- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- 製品別信頼性資料英語PDF 193 KB APR-24-H0364 2024年12月27日
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: サーマルFETは、パワーMOSFET構造内に過熱遮断回路を内蔵し、過電流や短絡による熱破壊を防止します。低オン抵抗と低消費電流を実現し、車載用途に適した3ピン構成の共通パッケージを採用しています。チップ温度を検知し自己遮断し、ラッチ型と温度ヒステリシス型の2種類の復帰方式があります。最大24Vシステム対応で、電流制限やゲート駆動制御の仕組みも備えています。内部回路や動作モード、使用上の注意点を解説しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
推奨ドキュメント (1)
データシート (1)
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
マニュアル、ガイド (2)
- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: サーマルFETは、パワーMOSFET構造内に過熱遮断回路を内蔵し、過電流や短絡による熱破壊を防止します。低オン抵抗と低消費電流を実現し、車載用途に適した3ピン構成の共通パッケージを採用しています。チップ温度を検知し自己遮断し、ラッチ型と温度ヒステリシス型の2種類の復帰方式があります。最大24Vシステム対応で、電流制限やゲート駆動制御の仕組みも備えています。内部回路や動作モード、使用上の注意点を解説しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (5)
製品通知（PCN、EOLなど） (3)
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