窒化ガリウム(GaN)パワーディスクリートデバイス

ルネサスは、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体のパイオニアとして、25W～10kW以を超える幅広いアプリケーションに向けに、高信頼かつ高性能なソリューションを提供しています。 約3,000万個に及ぶ高電力／低電力デバイスの出荷実績を持ち、当社製品は累計7,400億時間を超えるフィールド稼働実績を積み重ねています。 フィールドで実証済みのSuperGaNアーキテクチャを双方向プラットフォームへと拡張し、単段電力変換の新たな可能性を切り拓きます。

この高い信頼性は、GaN本来の性能優位性を活かした独自の堅牢なアーキテクチャにより実現しており、多様なパッケージオプションにも対応しています。 提供パッケージには、小型のPQFN、堅牢なTOリード付きパッケージに加え、ボトム冷却およびトップ冷却に対応した複数の表面実装パッケージが含まれます。 他のGaN製品では実現できない高い汎用性を実現します。

当社の単方向／双方向GaNソリューションは、堅牢なNormally-offアーキテクチャ、幅広いパッケージバリエーション、ならびに標準的なシリコンゲートドライバとの互換性を実現する低耐圧シリコンMOSFETフロントエンドの内蔵により、システム導入を容易にし、コスト削減に貢献します。