特長
- 連続的な±650V交流ピーク電圧、あるいは±800Vの瞬間的な過渡的電圧
- 高しきい値（VTH）を備えた絶縁ゲート
- 低電圧降下の内蔵フリーホイールダイオード
- 逆回復電荷ゼロ（Zero Qrr）
- 低ゲート電荷（Qg）および低出力電荷（Qoss）
- 高dv/dt耐性
- 高dv/dt耐性
- ソフト／ハードスイッチング対応
- 過渡過電圧耐量
- 2kVのESD耐性（HBMおよびCDM）
- JEDEC準拠のGaN技術
- RoHS準拠およびハロゲンフリーパッケージ
説明
TP65B110HRUは、ルネサスのSuperGaN® Gen I 双方向プラットフォームを基盤とするオン抵抗650V 110mΩの共通ドレイン双方向スイッチ（BDS）です。 最小クラスのフットプリントで、双方向に電流を導通し電圧を遮断するとともに、クラス最高水準のFOM（Figure of Merit）を実現します。 本デバイスは、モノリシックな高耐圧双方向ディプリーションモードGaNとノーマリーオフの低電圧シリコンMOSFETを組み合わせることで、優れた性能、標準ゲートドライブ互換性を確保できる高いしきい値、容易な統合性、および先進的な電力アプリケーション向けの高い信頼性を提供します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Blocking Capability | Bidirectional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 110 |
| RDSON (max) (mΩ) | 140 |
| Vth typ (V) | 3 |
| Id max @ 25°C (A) | 24 |
| Qg typ (nC) | 6.8 |
| Qoss (nC) | 62 |
| Ron * Qoss (FOM) | 6820 |
| Ciss (Typical) (pF) | 810 |
| Coss (Typical) (pF) | 63 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type |
|---|
| TOLT |
アプリケーション・ブロック図
 | Single-Stage DAB-Based Solar Microinverter The system delivers 500W of high‑density, high‑efficiency GaN‑based microinverter power. |
その他アプリケーション
- 太陽光発電（PV）インバータ
- AIデータセンターおよびテレコム向け電源
- 無停電電源装置(UPS)
- バッテリ充電器
- モータドライブ