高性能システムの効率を向上
窒化ガリウム（GaN）技術は、ワイドバンドギャップ特性を備えた高電力密度の電源ステージに不可欠です。 GaNは、AIインフラ、エネルギー貯蔵、モータドライブにおける電力性能の向上を、SiCよりも迅速かつ効果的に促進します。特に、GaNがシリコンMOSFETを代替できる領域で、その効果を発揮します。 ルネサスは、パワーGaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）のパイオニアであり、25W～10kWを超える幅広い用途において、信頼性が高く高性能なソリューションを提供しています。
実績のあるGaN技術をベースに、コントローラ、ドライバ、リファレンスデザイン、システムソリューションからなる包括的なエコシステムによって、ルネサスはシンプルで堅牢な電力変換を実現するとともに、設計者による損失の低減、システムサイズの小型化、イノベーションの加速を支援します。 堅牢なアーキテクチャ、豊富なパッケージ、統合された低電圧フロントエンド・シリコンMOSFETにより、標準的なシリコンドライバとのシームレスな互換性を実現します。 これにより、システム開発者はルネサスのGaNを容易かつ低コストで導入できます。 さまざまなGaNパッケージオプションを提供し、優れた柔軟性を実現します。
高信頼・高性能な製品ラインアップ
高電圧および低電圧GaNソリューションは、25W～10kW超までの幅広い電力範囲にわたり、さまざまなパッケージオプションで、優れた効率、電力密度、信頼性を実現します。
設計が容易
標準ゲートドライバで容易に駆動でき、ピン互換のパッケージオプションと豊富な設計リソースを利用できます。
SuperGaN®プラットフォーム
独自の高電圧GaNアーキテクチャにより、業界トップクラスの性能向上、設計の容易性、最適化されたコスト構造を実現します。
REXGaN®プラットフォーム
Si互換のフットプリントに対応した低電圧E-Mode GaNパワートランジスタにより、導入を簡素化し、移行を加速します。
製品ポートフォリオ
データセンターにおける電力アーキテクチャの進化
AIハードウェアの需要拡大により、データセンターのアーキテクチャに大きな変化が生じており、需要の増加に対応するため、従来の電力配電も進化する必要があります。 本ホワイトペーパーでは、この課題に対応するために必要となる高電圧DCバスについて説明します。
