先進のGaN技術が未来を切り拓く
先進的な電力システムでは、従来のシリコンデバイスが対応可能な範囲を超える広い電圧範囲と高速なスイッチング周波数をサポートしなければなりません。このような多様なアプリケーションにおいて、より高い効率とより大きな電力密度がますます求められています。 ワイドバンドギャップ半導体技術は、これらの高度な電力要件を満たすことに特に優れているため、急速に成長しています。
ルネサスは、低耐圧および高耐圧のディスクリートGaNデバイス、4象限スイッチ、ドライバ、コントローラなどを取り揃え、GaN製品ラインアップを継続的に拡充しています。 この幅広い製品を用いた包括的なアプリケーションカバレッジで、お客様を支援する能力を強化してまいります。 ルネサスのGaN技術は、単一コアプラットフォームの垂直統合モデルを基盤として構築されており、幅広いアプリケーションにおいて45Wから10kW超までの電力変換を実現します。 ルネサスのGaNデバイスは自社ウェーハプロセスで製造されており、競合他社製のGaN製品と比較して損失を抑えつつ高い性能を発揮します。 エピタキシャル材料、デバイス構造、パッケージング、アプリケーションにまたがる1000件以上の特許へのアクセスにより、当社は差別化と顧客のイノベーションを推進し続けています。
インフラ、産業、再生可能エネルギー、民生機器、車載市場で高まる需要に応えるため、当社は幅広いGaNディスクリートデバイスと関連するパワーマネジメントソリューションを提供しています。 この製品群は、先進的なGaNデバイスと垂直統合されたウェーハ製造技術、業界をリードするコントローラおよびドライバICを組み合わせ、完全かつ高性能なパワーソリューションを提供します。
