窒化ガリウム（GaN）電源ソリューション

窒化ガリウム電界効果トランジスタ (GaN FET) などのワイドバンドギャップ半導体技術は、高出力モータードライブ、急速充電アダプター、テレコム、コンピューティング、さらには宇宙アプリケーションなど、さまざまな電力管理アプリケーションで使用されています。 ルネサスは、Si FETと比較したGaN FETの利点を活用するために特別に設計されたさまざまなコントローラとドライバを提供しています。

• RDS_ONが低い - 導通損失が低いため、効率が向上し、デバイスサイズが小さくなります。
• ゲート容量の低減 - スイッチング損失を最小限に抑え、効率の向上とデバイスサイズの小型化を実現します。
• デバイスの高速化 - GaN FETはスイッチングが高速であるため、より小さな磁気部品を使用できるため、デバイスサイズがコンパクトになります。
• より広いバンドギャップ - GaN FETは、高温および放射線アプリケーション向けに高い信頼性を提供します。

GaNとSi FETの選定プロセスを容易にするために、ルネサスは、両方のタイプのFETを駆動して簡単に比較できるピン互換製品を提供しています。