概要
ルネサスの高信頼性（Hi-Rel）GaN FETは、ミッションクリティカルな宇宙および高信頼性アプリケーション向けに、高効率で耐放射線特性を備えたパワースイッチングを実現します。 GaN技術は本質的に放射線に強い特性を備えていますが、ルネサスのスクリーニングと認定プロセスにより、過酷な環境でも信頼性の高い動作を実現します。 高速スイッチング、低RDS(on)、高い電力密度により、これらのFETは宇宙システム向けのDC/DC変換、モータ制御、RFアプリケーション向けの小型、軽量、高効率なパワーソリューションを可能にします。
ルネサスは、QML-V、QML-V相当、QML-P、QML-P相当、JANS、RTプラスチックなどの多くのスクリーニングフローに対応した製品を提供しています。 どのフローが適用されるかは、製品のデータシートをご参照ください。
高速・高効率スイッチング
高速スイッチングと低RDS(on)により、高効率電力変換を可能にし、導通損失を低減してシステム全体の性能を向上させます。
小型、高電力密度
小型でありながら高い電力処理能力を実現。軽量かつ省スペースな電力システム設計を実現し、航空宇宙分野での要求に応えます。
宇宙の放射線保証
GaN FETは本質的に放射線耐性を備えており、ルネサスの厳格なスクリーニングと認定により、宇宙での高い信頼性を実現します。
リソース
ホワイトペーパー