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特長

  • VDSS = 150V
  • 標準駆動電圧対応:VGS(th) = 2.2~3.7V
  • 超低オン抵抗:RDS(on) = 3.4mΩ以下
  • ID = 200A
  • 低入力容量
  • 低熱抵抗
  • パッケージ:TOLT
  • 100%アバランチテスト済み
  • 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
  • IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1

説明

RBE034N15R1SZPW NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLTパッケージで提供されます。 TOLTパッケージは、超小型で最適な熱性能を実現するトップサイド冷却を採用しています。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。

パラメータ

属性
Qualification LevelIndustrial
Nch/PchNch
Channels (#)1
Standard Pkg. TypeTOLT
Gate LevelStandard
VDSS (Max) (V)150
ID (A)200
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)3.4
Pch (W)366
Ciss (Typical) (pF)6200
Qg typ (nC)86
Series NameREXFET-1

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)
TOLT9.90 x 15.00 x 2.3016

アプリケーション・ブロック図

E-Bike System with Scalability for Continuous Feature Expansion Block Diagram
e-BIKEシステム
高度なMCU、電源、BMSデバイスを備えた完全なe-BIKEシステムは、走行を延長し、制御を強化します。

その他アプリケーション

  • モータ制御
  • エネルギーインフラ
  • 産業オートメーション
  • DC/DC電力変換
  • 電動工具
  • ロボティクス

適用されたフィルター

ニュース&ブログ

ブログ
2025年10月29日
REXFET MOSFETでRDS(on)を低減