特長
- 絶対最大定格 電源電圧 Vcc:24 V ジャンクション温度 Tj:-40~+150°C
- 電気的特性 UVLO 動作開始電圧 VH:9.5 V±0.7 V UVLO 動作停止電圧 VL:8.5 V±0.4 V UVLO ヒステリシス電圧 Hysuvl:1.0 V±0.4 V
- 機能 臨界導通モードによる昇圧コンバータ制御 2モードの過電圧保護とOVP2 モード1:負荷変動による電圧上昇に対応するダイナミックOVP モード2:安定時の過電圧に対応するスタティックOVP。 OVP2:OVP2 は独立端子により PFC 出力電圧を検出します。 フィードバックループ、オープン検出 過電流保護負荷変動による電圧降下に対応したダイナミック UVP 周波数リミッタ、ZCD (ゼロ電流検出) 遅延時間調整、CS端子のオープン検出調整 パッケージラインアップ:鉛フリーSOP-8(JEDEC)
説明
R2A20133Dは、昇圧コンバータを制御し、アクティブ力率補正を行います。 R2A20133Dは、力率改善用に臨界導通モードを採用し、ゼロ電流スイッチングにより高効率と低スイッチング・ノイズを実現しています。 GND電流を利用してゼロ電流を検出するため,ZCD補助巻線は不要です。 R2A20133Dにはフィードバックループオープン検出、2モード過電圧保護、過電流保護を内蔵されており、少ない外付け部品で高信頼性の電源システムを構成することができます。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| UVLO Rising (V) | 10.5 |
| UVLO Falling (V) | 9.3 |
| Output Per Driver UGATE Source|Sink | .020 | .020 |
| Supply Current Icc (µA) | 1800 |
| Switching Frequency Range (Typical) (kHz) | 500 - 500 |
| Function | Delay time adjustment, OVP2, DUVP |
| Remarks | CRM Single PFC |
| Icc (Typical) (mA) | 1.8 |
| Tstg (Min) (°C) | -55 |
| Tstg (Max) (°C) | 150 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| SOP | 5 x 4 x 1.75 | 8 |
アプリケーション・ブロック図
| ワイヤレススマートブラインドコントローラ GaN電源と柔軟なWi-FiまたはBluetooth LEを備えたMatter-readyスマートブラインドで、シームレスな統合を実現します。 | |
| 100W/140W USB Type-C & USB PD電源 USB Type-C & USB PD電源は、複数の出力、最適化された効率、費用対効果の高い設計を備えています。 |
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| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | パッケージ | 参考価格(米ドル) | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R2A20133DSP#W5 | Active | Available | 在庫あり | SOP | 1ku | $0.58 | 8# | Embossed Tape | 1 | Yes | PHILIPPINES | JAPAN |
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- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: PFC出力電圧制御に使用されるエラーアンプは、内部基準電圧とフィードバック端子の電圧差により出力電流が変化するトランスコンダクタンスアンプです。ICには外付け抵抗と内部容量で決まるランプスロープがあり、最大ON時間を制御します。出力段はトーテムポールドライバでMOSFET駆動が可能です。保護機能には静的・動的過電圧保護、フィードバックループ低検出、過電流保護などが含まれ、安定動作と故障防止を実現します。
- アプリケーションノート英語PDF 1.3 MB R19AN0015ED0102 Rev.1.02 2013年7月01日AI生成コンテンツ: The document provides layout recommendations and design rules for a dual port Ethernet PHY device supporting 10Base-T, 100Base-TX, and 100Base-FX. It covers strap pin configuration options for initial start-up settings, detailing the use of pull-up and pull-down resistors, including recommended resistor values and schematic examples. The strap pins function only during power-up or reset, with internal and external resistor configurations advised for noise immunity. Additional chapters address media interfaces, power supply layout, clock input, LED control, and unused pins.
- アプリケーションノート英語PDF 1.21 MB R19AN0014ED0102 Rev.1.02 2013年7月01日AI生成コンテンツ: The document provides layout recommendations and design rules for Dual PHY and Single Channel PHY ASSP devices. It covers strap pin configuration options for initial start-up settings, including pull-up and pull-down resistor values and configurations to ensure stable operation in noisy environments. The layout guidelines include power supply design, differential pair routing, media-dependent interfaces, MAC interfaces, and clock input circuits. Examples and tables illustrate resistor values and schematic configurations for strap pins.
- アプリケーションノート英語PDF 224 KB R03AN0009EJ0100 Rev.1.00 2012年2月22日AI生成コンテンツ: The document explains the internal functions of the R2A20112A IC, focusing on its UVLO block which prevents operation under low voltage, and the 5 V reference voltage used internally. It details the Error Amplifier that stabilizes PFC output voltage, the Zero Current Detection circuit essential for CRM operation, and the RAMP generator that controls PWM ON time using external components. The drive stage outputs pulses to power MOSFETs with specific peak current capabilities and includes driver circuit examples for different MOSFET gate charges.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、電源制御ICの電気特性や動作パラメータについて説明している。基準電圧、スイッチング周波数、電流検出などの内部機能や、誤差増幅器、ランプジェネレーター、過電流保護の役割を解説する。MOSFETのオン・オフタイミングや入力電圧、出力電圧、電流検出信号の関係も示されている。回路図により動作とタイミングが視覚的に示されている。
- アプリケーションノート英語PDF 397 KB an1684 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document outlines important legal disclaimers and usage guidelines for semiconductor products. It emphasizes user responsibility for product design and safety, disclaims liability for damages, and clarifies no intellectual property licenses are granted. Products are categorized by quality grades with specific application recommendations. Users must comply with laws, avoid unauthorized modifications, and ensure safe use within specified conditions. Contact details for Renesas Electronics sales offices worldwide are provided.
- アプリケーションノート英語PDF 509 KB an1681 2004年1月19日AI生成コンテンツ: The document explains grounding techniques for PCB layouts using a dual op amp example on a single-layer copper board. It compares three grounding schemes: a center spine ground trace, an outer ground plane, and a split/star ground plane, highlighting the benefits of single-point grounding to minimize noise and antenna effects. It emphasizes following current paths, minimizing loop lengths, and ensuring close forward and return paths to reduce interference. The document also includes disclaimers on product use, quality grades, safety, and legal compliance.
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- アプリケーションノート英語PDF 224 KB R03AN0009EJ0100 Rev.1.00 2012年2月22日AI生成コンテンツ: The document explains the internal functions of the R2A20112A IC, focusing on its UVLO block which prevents operation under low voltage, and the 5 V reference voltage used internally. It details the Error Amplifier that stabilizes PFC output voltage, the Zero Current Detection circuit essential for CRM operation, and the RAMP generator that controls PWM ON time using external components. The drive stage outputs pulses to power MOSFETs with specific peak current capabilities and includes driver circuit examples for different MOSFET gate charges.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、電源制御ICの電気特性や動作パラメータについて説明している。基準電圧、スイッチング周波数、電流検出などの内部機能や、誤差増幅器、ランプジェネレーター、過電流保護の役割を解説する。MOSFETのオン・オフタイミングや入力電圧、出力電圧、電流検出信号の関係も示されている。回路図により動作とタイミングが視覚的に示されている。もっと見る (7)
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (7)
製品通知(PCN、EOLなど) (3)
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