特長
- 150mΩ、650V GaNデバイス、PQFN 8x8業界標準パッケージ
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計は以下によって定義されます。
- 800Vの過渡過電圧能力
- ツェナーダイオードによるゲート過電圧保護なしに標準的なゲートドライバでの駆動が可能
- 低QRR
- クロスオーバー損失の低減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率が向上し、次のことが可能になります。
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- システムコストの全体的な削減
説明
TP65H150G4LSGBE 650V 150mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、8x8 PQFN業界標準パッケージに収められており、ルネサスのGen IV SuperGaN® プラットフォーム上に構築されたノーマリオフデバイスです。 高電圧GaN HEMTと最適化された低電圧シリコンMOSFETを接続し、優れた性能、標準的なドライブ回路との互換性により設計の容易さ、および高信頼性を実現します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 150 |
| RDSON (max) (mΩ) | 180 |
| Vth typ (V) | 1.6 |
| Id max @ 25°C (A) | 14.2 |
| Qrr typ (nC) | 0 |
| Qg typ (nC) | 14 |
| Qoss (nC) | 35 |
| Ron * Qoss (FOM) | 5250 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1160 |
| Coss (Typical) (pF) | 28 |
| trr (Typical) (nS) | 32 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) |
|---|---|
| PQFN88 | 8 x 8 |
アプリケーション・ブロック図
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140W～240WデュアルポートUSB Type-C & USB PD充電器
このUSB充電器システムは最大240Wを供給し、堅牢な安全性を備えた高速で柔軟なデュアルUSB Type-C充電を実現します。
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その他アプリケーション
- 民生
- ACアダプタ
- 低消費電力SMPS
- 照明機器
- POE電源