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特長

  • VDSS = 100V
  • 標準駆動電圧対応:VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
  • 超低オン抵抗:RDS(on) = 1.5mΩ max.
  • ID = 340A
  • 低入力容量
  • 低熱抵抗
  • 100%アバランシェテスト済み
  • 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
  • IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1

説明

RBE015N10R1SZPW NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLTパッケージで提供されます。 TOLTパッケージは、超小型で最適な熱性能を実現するトップサイド冷却を採用しています。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。

パラメータ

属性
Qualification LevelIndustrial
Nch/PchNch
Channels (#)1
Standard Pkg. TypeTOLT
Gate LevelStandard
VDSS (Max) (V)100
ID (A)340
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)1.5
Pch (W)468
Ciss (Typical) (pF)13000
Qg typ (nC)170
Series NameREXFET-1

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)
TOLT15 x 9.9 x 2.316

製品比較

RBE015N10R1SZPWRBE015N10R1SZPVRBE015N10R1SZQ4RBA015N10R1SBPW
VDSS (Max) (V)100100100100
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)1.51.51.51.5
ID (A)340340340340
Standard Pkg. TypeTOLTTOLGTOLLTOLT
Qualification LevelIndustrialIndustrialIndustrialAutomotive

アプリケーション

  • モータ制御
  • データセンター
  • エネルギーインフラ
  • 産業オートメーション
  • DC/DC電源変換
  • 電動工具
  • ロボティクス

適用されたフィルター