特長
- Available in near chip scale QFN (5mmx5mm) package, which is 40% smaller than a 20 Ld TSSOP
- ESD protection for RS-232 I/O pins to ±15kV (IEC61000)
- Meets EIA/TIA-232 and V.28/V.24 specifications at 3V
- RS-232 compatible with VCC = 2.7V
- On-chip voltage converters require only four external 0.1µF capacitors
- Manual and automatic powerdown features (except ISL3232E)
- Receiver hysteresis for improved noise immunity
- Assured minimum data rate: 250kbps
- Wide power supply range: single +2.7V to +5.5V
- Low supply current in powerdown state: 150nA
- Pb-free (RoHS compliant)
説明
The ISL3232E, ISL4221E, and ISL4223E devices are 2. 7V to 5. 5V powered RS-232 transmitters/receivers that meet ElA/TIA-232 and V. 28/V. 24 specifications, even at VCC = 3. 0V. They provide ±15kV ESD protection (IEC61000-4-2 Air Gap and Human Body Model) on transmitter outputs and receiver inputs (RS-232 pins). Targeted applications are PDAs, Palmtops, and hand-held products where the low operational power consumption and even lower standby power consumption are critical. Efficient on-chip charge pumps, coupled with manual and automatic powerdown functions, reduce the standby supply current to a 150nA trickle. The 5mmx5mm Quad Flat No-Lead (QFN) packaging and the use of small, low value capacitors ensure board space savings. Data rates greater than 250kbps are ensured at worst case load conditions. The ISL4221E is a 1 driver, 1 receiver device and the ISL3232E and ISL4223E are 2 driver, 2 receiver devices that, coupled with the 5mmx5mm QFN package, provide the industry's smallest, lowest power serial port suitable for PDAs, and hand-held applications. The 5mmx5mm QFN requires 40% less board area than a 20 Ld TSSOP, and is nearly 20% thinner. The ISL4221E and ISL4223E versions feature an automatic powerdown function that powers down the on-chip power supply and driver circuits. Automatic powerdown occurs when an attached peripheral device is shut off or the RS-232 cable is removed, and conserves system power automatically without changes to the hardware or operating system. The ISL4221E and ISL4223E power back up automatically when a valid RS-232 voltage is applied to any receiver input.
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Temp. Range (°C) | -40 to +85°C |
| Charge-pump Capacitance Value (µF) | 0.1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| QFN | 5.0 x 5.0 x 0.90 | 16 | 0.8 |
アプリケーション・ブロック図
| クラウドゲートウェイモジュール クラウドゲートウェイモジュールは、安全なデータ転送、安定な通信、柔軟な電源互換性を可能にします。 | |
| フリートトラッキング GPSとLTE Cat-M1を搭載したフリートトラッキングシステムで、資産監視、テレマティクス、輸送、ロジスティクスを実現します。 |
その他アプリケーション
- Any Space Constrained System Requiring RS-232 Ports Battery Powered, and Portable Equipment Hand-Held Products (GPS Receivers, Bar Code Scanners, etc) PDAs and Palmtops, Data Cables Cellular/Mobile Phones, Digital Cameras
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| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Budgetary Price (USD) | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Pb Free Category | Temp. Range (°C) | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL3232EIRZ | Active | Available | In Stock | RoHS:EN | QFN | 1ku | $1.19 | 16# | Tube | 2 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C | MALAYSIA | USA |
| ISL3232EIRZ-T | Active | N/A | Out of Stock | RoHS:EN | QFN | 1ku | $1.19 | 16# | Reel | 2 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C | MALAYSIA | USA |
| ISL3232EIRZ-T7A | Active | N/A | Out of Stock | RoHS:EN | QFN | 1ku | $1.78 | 16# | Reel | 2 | Yes | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 | -40 to +85°C | MALAYSIA | USA |
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- トレーニング英語PDF 719 KB R15TB0008EU0100 Rev.1.00 2023年12月18日
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- トレーニング英語PDF 208 KB R15TB0004EU0100 Rev.1.00 2023年10月26日
- トレーニング英語PDF 405 KB R15TB0003EU0100 Rev.1.00 2023年6月26日
- トレーニング英語PDF 239 KB R15TB0002EU0100 Rev.1.00 2023年6月21日
- アプリケーションノート英語PDF 365 KB AN1978 2023年4月12日AI生成コンテンツ: The document details surge protection circuits for RS-485 transceivers, focusing on Level 4 (4kV) protection using gas discharge tubes (GDTs) for higher overvoltage and overcurrent tolerance. It compares protection schemes by component count, board area, and cost, highlighting that higher-level protection increases complexity and expense. The BOMs for Level 3 and Level 4 circuits list components such as transceivers, bidirectional TVS diodes, transient blocking units, thyristors or GDTs, and resistors. The GDT switching characteristic explains how it diverts transient currents to ground by transitioning from high impedance to a crowbar current path. Simpler protection can be achieved with overvoltage protected transceivers.
- アプリケーションノート英語PDF 207 KB an1985 2022年8月19日AI生成コンテンツ: Transient protection for RS-485 transceivers involves careful TVS diode design to prevent damage from high surge currents. Internal ESD structures in the ISL3152E share transient current with external TVS diodes, risking damage without current-limiting resistors. Using thick-film resistors under 200 ohms between TVS and transceiver limits surge current while minimizing bus voltage attenuation. Recommended PCB layout includes low-inductance ground and Vcc planes, 0603 resistors for wave or reflow soldering, and proper component placement to reduce inductance and enhance protection.
- アプリケーションノート英語PDF 474 KB AN1979 2022年8月16日AI生成コンテンツ: The document explains surge protection using Renesas’ Overvoltage Protected (OVP) transceivers with various protection schemes. It details the use of TVS diodes and thyristors to protect data lines against surge currents while maintaining low capacitance for high data rates. Different configurations address various common-mode voltage ranges and surge levels, ensuring compliance with IEC61000-4-5 standards. The paper includes calculations for peak protection voltages and discusses device characteristics and combinations for robust surge protection in industrial applications.
- 技術概要英語PDF 188 KB R70TB0002EU0100 Rev.1.00 2022年5月17日
- アプリケーションノート英語PDF 231 KB r15an0003eu-isl3232e-rv1s9160a 2019年10月29日AI生成コンテンツ: The document provides guidelines and disclaimers for using semiconductor products, emphasizing user responsibility for design incorporation and compliance with laws. It categorizes products into 'Standard' and 'High Quality' grades, specifying appropriate applications and warning against use in life-critical or hazardous systems without explicit designation. It stresses adherence to specified operating conditions and safety measures to prevent malfunctions and liabilities. Intellectual property rights and export control compliance are also highlighted.
- アプリケーションノート英語PDF 178 KB r15an0002eu-rs-485-transient-protection 2019年10月28日
- データシート英語ISL3232E, ISL4221E, ISL4223E DatasheetRECOMMENDEDPDF 364 KB isl3232e-4221e-4223e 2019年4月16日
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- アプリケーションノート英語PDF 365 KB AN1978 2023年4月12日AI生成コンテンツ: The document details surge protection circuits for RS-485 transceivers, focusing on Level 4 (4kV) protection using gas discharge tubes (GDTs) for higher overvoltage and overcurrent tolerance. It compares protection schemes by component count, board area, and cost, highlighting that higher-level protection increases complexity and expense. The BOMs for Level 3 and Level 4 circuits list components such as transceivers, bidirectional TVS diodes, transient blocking units, thyristors or GDTs, and resistors. The GDT switching characteristic explains how it diverts transient currents to ground by transitioning from high impedance to a crowbar current path. Simpler protection can be achieved with overvoltage protected transceivers.
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アプリケーションノート、ホワイトペーパー (14)
- 製品変更通知英語PDF 225 KB PCN14011 2014年3月12日
製品通知(PCN、EOLなど) (2)
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- トレーニング英語PDF 719 KB R15TB0008EU0100 Rev.1.00 2023年12月18日
- トレーニング英語PDF 762 KB R15TB0007EU0100 Rev.1.00 2023年12月04日
- トレーニング英語PDF 208 KB R15TB0004EU0100 Rev.1.00 2023年10月26日
マーケティング資料 (7)
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- 技術概要英語PDF 188 KB R70TB0002EU0100 Rev.1.00 2022年5月17日
- その他資料英語PDF 293 KB tb363 2018年5月04日
- その他資料英語PDF 653 KB tb379 1999年5月25日
その他資料 (4)
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