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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • JEDEC認定のGaN技術
  • ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
  • ロバスト設計、以下によって定義されます。
    • 固有の寿命テスト
    • 広いゲート安全マージン
    • 過渡過電圧機能
  • 非常に低いQRR
  • クロスオーバー損失の低減
  • AC-DCおよびDC-DC設計が可能
    • 電力密度の向上
    • システムのサイズと重量の低減
    • 全体的なシステムコストの削減
  • ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
  • 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
  • RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ

説明

TP65H70G4PS 650V 72mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、Gen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。

ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。

このTP65H070G4PSは、業界標準のTO-220で提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。

パラメータ

属性
Blocking CapabilityUni-Directional Switch
Qualification LevelStandard
Vds min (V)650
V(TR)DSS max (V)800
RDSON (Typ) (mΩ)72
RDSON (max) (mΩ)85
Vth typ (V)4
Id max @ 25°C (A)29
Qg typ (nC)9
Qoss (nC)80
Ron * Qoss (FOM)5760
Ciss (Typical) (pF)638
Coss (Typical) (pF)72
Mounting TypeThrough Hole
Temp. Range (°C)-55 to +150°C

パッケージオプション

Pkg. TypeLead Count (#)
TO-2203

アプリケーション・ブロック図

The block diagram of the 500W onboard battery charger for two-wheeler EV features 650V GaN FETs and an MCU that enables CAN communication.
2輪EV車用500Wオンボードバッテリチャージャ
GaN FETとMCUを搭載した高効率AC/DCバッテリチャージャで、CAN通信とバッテリ状態監視を実現します。

その他アプリケーション

  • データコム
  • 幅広い産業
  • PVインバーター
  • サーボ モーター
  • コンピューティング
  • 民生

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