特長
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 固有の寿命テスト
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- AC-DCおよびDC-DC設計が可能
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
説明
TP65H70G4PS 650V 72mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、Gen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。
このTP65H070G4PSは、業界標準のTO-220で提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 72 |
| RDSON (max) (mΩ) | 85 |
| Vth typ (V) | 4 |
| Id max @ 25°C (A) | 29 |
| Qrr typ (nC) | 0 |
| Qg typ (nC) | 9 |
| Qoss (nC) | 80 |
| Ron * Qoss (FOM) | 5760 |
| Ciss (Typical) (pF) | 638 |
| Coss (Typical) (pF) | 72 |
| trr (Typical) (nS) | 80 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Lead Count (#) |
|---|---|
| TO-220 | 3 |
アプリケーション・ブロック図
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2輪EV車用500Wオンボードバッテリチャージャ
GaN FETとMCUを搭載した高効率AC/DCバッテリチャージャで、CAN通信とバッテリ状態監視を実現します。
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240W USB PD AC/DCアダプタ
USB PD 3.2 EPR出力を備えた高効率240W AC/DCアダプタ。
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その他アプリケーション
- データコム
- 幅広い産業
- PVインバーター
- サーボ モーター
- コンピューティング
- 民生