概要
説明
The RBA250N10CHPF-4UA02 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Super low on-state resistance
- RDS(on) = 2.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 125A)
- Low input capacitance
- Ciss = 9500pF TYP. (VDS = 50 V)
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
- Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 659 KB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 2.65 MB English | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| カタログ | PDF 2.24 MB | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
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