特長
- 超高速スイッチング対応E-mode GaN HEMT
- JEDEC準拠のGaN技術
- シリコンMOSFET互換フットプリントによる容易な設計移行
- 低オン抵抗：1.8mΩ（標準値）
- 両面冷却パッケージによる熱設計の簡素化
- ゼロ逆回復電荷（Qrr）
- 低ゲート電荷および低出力電荷により効率を向上
説明
RTP100E1P8G1FL-DSCは、ルネサスの第1世代REXGaN®プラットフォームを採用した100V、1.8mΩのエンハンスメントモード（E-mode）窒化ガリウム（GaN）FETです。コンパクトな 3.3mm × 3.3mm両面冷却（DSC）FCLGAパッケージ を採用しています。 先進的なパッケージ技術により、超高速スイッチング性能と優れた熱特性を両立し、高効率・高電力密度設計を可能にします。 両面冷却パッケージとシリコンMOSFET互換フットプリントを採用しているため、従来のシリコンMOSFETからGaNへの設計移行を容易にし、開発期間の短縮、放熱設計の改善、および電力損失の低減に貢献します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 100 |
| V(TR)DSS max (V) | 120 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 1.8 |
| Vth typ (V) | 1.1 |
| Id max @ 25°C (A) | 36.7 |
| Qg typ (nC) | 16.3 |
| Qoss (nC) | 55 |
| Ron * Qoss (FOM) | 99 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1980 |
| Coss (Typical) (pF) | 600 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -40 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| FCLGA | 3.3 x 3.3 x 0.796 | 9 | 0.65 |
製品比較
 |  |  |  | |
| RTP100E1P8G1FL-DSC | RTP100E005G1FL | RTP100E2P6G1FL | RTP100E1P2G1FL-DSC | |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 1.8 | 5 | 2.6 | 1.2 |
| Theta-JA (°C/W) | 47 | 45 | 29.4 | 18.4 |
| IDS (A) @ Ta = 25°C | 29 | 17 | 30 | 57 |
| IDS (A) @ Tc = 25°C | 282 | 59 | 109 | 545 |
| Qoss (nC) | 55 | 24.2 | 46 | 86 |
| Qg typ (nC) | 16.3 | 5.2 | 9.4 | 27 |
| Pkg. Type | FCLGA | FCLGA | FCLGA | FCLGA |
| Pkg. Dimensions (mm) | 3.3 x 3.3 x 0.796 | 3.3 x 3.3 x 0.902 | 5.0 x 6.0 x 0.902 | 5 x 6 x 0.702 |
アプリケーション・ブロック図
 | 800V～48V DCXシステム 800V DCバスを48V DCに効率的に変換し、電気的絶縁を実現することで、高密度かつ高効率な電力供給を可能にします。 |
その他アプリケーション
- 通信機器およびAIデータセンタ向け48V中間バスコンバータ
- 同期整流回路およびDC/DCコンバータ
- バッテリ駆動ツール
- Class-Dオーディオアンプ
- エネルギー貯蔵システム（ESS）
- 48Vサーボドライブ
- ロボティクスシステム