説明
MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TO-220F |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 600 |
| ID (A) | 6 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 1370 |
| Pch (W) | 29.5 |
| Ciss (Typical) (pF) | 765 |
| Qg typ (nC) | 20 |
| Series Name | RJK Series |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Lead Count (#) |
|---|---|
| TO-220FPA | 3 |
アプリケーション・ブロック図
 | BLDCモータ搭載シーリングファン用の統合速度制御プラットフォーム BLDCシーリングファン用の統合プラットフォームは、多様な速度制御オプションを提供し、在庫とBOMコストを削減します。 |
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| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Budgetary Price (USD) | Lead Count (#) | Carrier Type | Pb (Lead) Free | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJK6035DPP-A0#T2 | Active | Available | In Stock | TO-220FPA | 1ku | $1.096 | 3# | Tube | Yes | CHINA | JAPAN |
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- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
推奨ドキュメント (1)
データシート (1)
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
マニュアル、ガイド (2)
- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
- アプリケーションノート日本語PDF 1.38 MB D18618JJ2V0IF00 2007年10月01日AI生成コンテンツ: 本資料は、パワーデバイスの自動実装対応について説明しており、自動実装機に対応した形態での製品出荷を行っていることを示しています。三端子ディスクリート半導体素子やパワーデバイスをテーピングやマガジンケースに収納し、生産効率の向上を図っています。製品の品質水準は標準、特別、特定に分類され、用途に応じた確認を推奨しています。安全設計の推奨や知的財産権に関する注意事項も記載されています。もっと見る (8)
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (8)
製品通知（PCN、EOLなど） (3)
- もっと見る (11)
エラッタ、テクニカルアップデート (11)
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