ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
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RAJ240080DFP

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2～5直列リチウムイオン・バッテリ残量ゲージIC

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代替製品
RAJ240090GFP - 3 to 8 Series Li-ion Battery Fuel Gauge IC
RAJ240091GNP - 3 to 7 Series Li-ion Battery Fuel Gauge IC
  • Notes:RAJ240080DFP is not recommended for new designs.

特長

  • 電池容量測定とプログラマブル保護機能を備えたバッテリ管理ソリューション
  • リチウムイオンバッテリまたはリチウムポリマーバッテリを最大5個まで直列に接続可能
  • ルネサス超低消費電力CPUコア「RL78」を搭載し、マルチ機能プロセスに対応
  • メモリ
    コードフラッシュメモリ：64KB
    データフラッシュメモリ（最大10万回の消去／書き込み可能）：4KB
    SRAM: 5.5KB
  • クロック・ジェネレータ
    高速オンチップ・オシレータ：最大32MHz
    低速オンチップ・オシレータ：15KHz
    アナログ・フロントエンド(AFE) オンチップオシレータ：4.194MHz
  • 汎用入出力ポート
    合計：22ピン
    CMOS入力/出力：16
    CMOS入力：2
    高電圧入力[VCC公差]：1
    高電圧入出力 [VCC公差]：1
  • シリアルインタフェース
    CSI（SPI）：1チャネル
    I2C：1チャネル
    UART：2チャネル
    簡易I2C：1チャネル
  • タイマ
    MCU 16ビットタイマ：5チャネル
    MCU 12ビットインターバルタイマ：1チャネル
    アナログ・フロントエンド(AFE)タイマ：2チャネル
    - アナログ・フロントエンド(AFE) タイマA：設定範囲: 125 ms～64 s
    - アナログ・フロントエンド(AFE) タイマB：設定範囲：30.52us～125ms
  • 組込型A/Dコンバータ
    アナログ・フロントエンド(AFE) 15ビット分解能シグマデルタA/Dコンバータ
  • 電流積分回路
    18ビット分解能シグマデルタA/Dコンバータ
  • インピーダンス測定回路
    バッテリの電圧・電流を同時測定
  • 過電流検出回路
    短絡電流検出
    充電過電流検出
    放電過電流検出
    充電覚醒電流検出
    放電覚醒電流検出
  • シリーズレギュレータ
    3.3V CREG2
    1.8V CREG1
  • MOSFETの充放電制御
    ハイサイドNch MOSFET駆動回路内蔵
    8ビットPWMによるプログラマブルMOSFET制御
  • ヒューズ制御
    FUSEOUTピンは、ヒューズブロー機能に対応
  • インテル®ダイナミック・バッテリパワーテクノロジ対応
  • 電圧および温度条件
    電源電圧：VCC = 4.0～28 V
    動作周囲温度：Ta = -20～+85°C
  • パッケージ情報
    48ピン プラスチックモールドQFP（[本体] 9.0 mm×9.0 mm、0.5 mmピッチ）
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RAJ24000xxDNP_RAJ240100GFP Functional Diagram
RAJ24000xxDNP_RAJ240100GFP Functional Diagram

説明

RAJ240080は、MCUとアナログ・フロントエンド (AFE) デバイスを1パッケージ化したルネサス リチウムイオン・バッテリ用残量ゲージIC（FGIC）です。 複数の低消費電力モードを持ち、超低消費電力動作で高いパフォーマンスを実現できるルネサスRL78 CPUコアと、様々なバッテリ管理機能を内蔵した製品です。 RAJ240080残量ゲージ IC は、制御ファームウェアを内蔵フラッシュメモリに格納し、内蔵されたアナログ回路およびデジタル回路を制御して、電池の電圧／電流／温度測定、残量推定、過電流／電圧／温度保護などの電池管理動作を実行することができます。

パラメータ

属性値
Series Cells2 to 5 Cells
Supply Voltage (V)4 - 28
Comm. InterfaceI2C, UART
Flash Memory (KB)64
Charge/Discharge FET ControlHigh Side

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
LFQFP7 x 7 x 1.7480.5

このデバイスに組み合わせたい製品

更に設計開発を進めるための製品を探してみましょう

DC/DCコンバータ
ISL81401
40V双方向4スイッチ同期整流式昇降圧コントローラ
 データシート
FETドライバ
HIP2103
60V、1A/2Aピーク、4V UVLOハーフブリッジドライバ
 データシート
FETドライバ
HIP2104
60V、1A/2Aピーク、4V UVLOハーフブリッジドライバ (2つの内部LDO - 12Vおよび3.3V)
 データシート
アンプ
READ2304G
高駆動性、高スルーレート、入出力フルレンジ、CMOSデュアルオペアンプ、VIO ≤ ±6mV、SR = 8V/μs
 データシート
FETドライバ
RAA227063
スマート三相ゲートドライバ
 データシート
RA Arm Cortex-M MCU
RA4T1
RA4シリーズ 100MHz Arm Cortex-M33 モータ制御用マイクロコントローラ
 データシート
RX 32ビット高性能/高効率MCU
RX26T
2モータ制御とPFC制御の実現に最適な32ビットマイクロコントローラ
 データシート
RL78 低消費電力 8 & 16ビットMCU
RL78/G24
RL78の最高処理性能とアナログおよびタイマの強化を実現した汎用マイコン
 データシート
型名状態サンプル在庫パッケージLead Count (#)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Pb (Lead) Free
RAJ240080A20DFP#BC0ActiveN/A在庫切れLFQFP48#Tray3Yes

このデバイスに組み合わせたい製品

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DC/DCコンバータ
ISL81401
40V双方向4スイッチ同期整流式昇降圧コントローラ
 データシート
FETドライバ
HIP2103
60V、1A/2Aピーク、4V UVLOハーフブリッジドライバ
 データシート
FETドライバ
HIP2104
60V、1A/2Aピーク、4V UVLOハーフブリッジドライバ (2つの内部LDO - 12Vおよび3.3V)
 データシート
アンプ
READ2304G
高駆動性、高スルーレート、入出力フルレンジ、CMOSデュアルオペアンプ、VIO ≤ ±6mV、SR = 8V/μs
 データシート
FETドライバ
RAA227063
スマート三相ゲートドライバ
 データシート
RA Arm Cortex-M MCU
RA4T1
RA4シリーズ 100MHz Arm Cortex-M33 モータ制御用マイクロコントローラ
 データシート
RX 32ビット高性能/高効率MCU
RX26T
2モータ制御とPFC制御の実現に最適な32ビットマイクロコントローラ
 データシート
RL78 低消費電力 8 & 16ビットMCU
RL78/G24
RL78の最高処理性能とアナログおよびタイマの強化を実現した汎用マイコン
 データシート
読込中

フィルター

    推奨ドキュメント (1)

  1. データシート
    英語
    RAJ240080 Data Sheet
    RECOMMENDED
    PDF 2.12 MB R01DS0299EJ0100 Rev.1.00 2017年12月27日

    データシート (1)

  1. データシート
    英語
    RAJ240080 Data Sheet
    RECOMMENDED
    PDF 2.12 MB R01DS0299EJ0100 Rev.1.00 2017年12月27日

    アプリケーションノート、ホワイトペーパー (2)

  1. アプリケーションノート
    英語
    AN1684: Nonideality of Ground
    PDF 397 KB an1684 2004年1月19日
    AI生成コンテンツ: The document outlines important legal disclaimers and usage guidelines for semiconductor products. It emphasizes user responsibility for product design and safety, disclaims liability for damages, and clarifies no intellectual property licenses are granted. Products are categorized by quality grades with specific application recommendations. Users must comply with laws, avoid unauthorized modifications, and ensure safe use within specified conditions. Contact details for Renesas Electronics sales offices worldwide are provided.
  2. アプリケーションノート
    英語
    AN1681: Grounding Techniques
    PDF 509 KB an1681 2004年1月19日
    AI生成コンテンツ: The document explains grounding techniques for PCB layouts using a dual op amp example on a single-layer copper board. It compares three grounding schemes: a center spine ground trace, an outer ground plane, and a split/star ground plane, highlighting the benefits of single-point grounding to minimize noise and antenna effects. It emphasizes following current paths, minimizing loop lengths, and ensuring close forward and return paths to reduce interference. The document also includes disclaimers on product use, quality grades, safety, and legal compliance.

    製品通知（PCN、EOLなど） (3)

  1. 製品変更通知
    日本語
    半導体製品 包装材変更のお願い（一部内容の追加及び修正）
    PDF 4.87 MB PC-WRP-A001C/J English 2018年1月23日
  2. 製品変更通知
    日本語
    半導体製品 包装材変更のお願い ( PC-WRP-A001B/J )
    PDF 3.82 MB PC-WRP-A001B/J English 2017年3月08日
  3. 製品変更通知
    日本語
    半導体製品 包装材変更のお願い ( PC-WRP-A001A/J )
    PDF 1.91 MB PC-WRP-A001A/J English 2016年7月01日

    ツールニュース (1)

  1. ツールニュース－注意事項
    日本語
    【注意事項】 Renesas Flash Programmer
    PDF 174 KB R20TS0651JJ0100 Rev.1.00 English 2021年1月16日
読込中
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フィルター

Partner Solutions

    Partner Solutions (1)

  1. software
    Model-Based Development Platform
    日本語
    Battery Management Systems
    Offers electrochemical battery models designed to run on Renesas battery management solution platforms, enabling more accurate state estimation and improved overall battery performance.
    提供元: BattGenie
読込中
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