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特長

  • JEDEC認定のGaN技術
  • ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
  • ロバスト設計、以下によって定義されます。
    • 固有の寿命テスト
    • 広いゲート安全マージン
    • 過渡過電圧機能
  • 非常に低いQRR
  • クロスオーバー損失の低減
  • RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
  • AC-DCおよびDC-DC設計が可能
    • 電力密度の向上
    • システムのサイズと重量の低減
    • 全体的なシステムコストの削減
  • ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
  • 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます

説明

TP65H150G4PS 650V 150mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。

ルネサスのGaNは、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンに対する効率を向上させます。

このTP65H150G4PSは、業界標準のTO-220で提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。

パラメータ

属性
Qualification Level Standard
Vds min (V) 650
V(TR)DSS max (V) 800
RDSON (Typ) (mΩ) 150
RDSON (max) (mΩ) 180
Vth typ (V) 4
Id max @ 25°C (A) 16
Qrr typ (nC) 0
Qg typ (nC) 8
Qoss (nC) 34
Ron * Qoss (FOM) 5100
Ciss (Typical) (pF) 598
Coss (Typical) (pF) 30
trr (Typical) (nS) 31
Mounting Type Through Hole
Temp. Range (°C) -55 to +150°C

パッケージオプション

Pkg. Type Lead Count (#)
TO-220 3

アプリケーション・ブロック図

High Efficiency 140W USB-C Power Supply Block Diagram
高効率ZVS 140W USB Type Type-C電源
SuperGaN、適応型ZVS、スマートPFC、28V/5Aの高効率を備えた140W USB Type-C電源。

その他アプリケーション

  • 民生
  • 電源アダプタ
  • 低電力SMPS
  • 照明機器

適用されたフィルター