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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • Independently Drives 4 N-Channel FETs in Half Bridge or Full Bridge Configurations
  • Bootstrap Supply Max Voltage: 70VDC
  • Drives a 1000pF Load in Free Air at +50°C with Rise and Fall Times of 15ns (typ)
  • User-Programmable Dead Time from 0.1 to 4.5µs
  • DIS (Disable) Overrides Input Control and Refreshes Bootstrap Capacitor when Pulled Low
  • Input Logic Thresholds Compatible with 5V to 15V Logic Levels
  • Shoot-Through Protection
  • Undervoltage Protection
  • Pb-Free Plus Anneal Available (RoHS Compliant)

説明

The ISL83202 is a medium-frequency H-Bridge FET driver capable of 1A (typ) of peak drive current that is designed to drive high- and low-side N-Channel MOSFETs in medium voltage applications. Optimized for PWM motor control and uninterruptible power supply systems, the ISL83202 enables simple and flexible bridge-based design. With typical input-to-output propagation delays as low as 25ns and with a user programmable dead-time range of 0. 1µs to 4. 5µs, the ISL83202 is ideal for switching frequencies up to 200kHz. The dead-time of the ISL83202 is programmable via a single resistor. The ISL83202's four independent driver control inputs (ALI, AHI, BLI, and BHI) allow driving of every possible switch combination except those that would cause a shoot-through condition. A global disable input, DIS, overrides input control and causes the ISL83202 to refresh the bootstrap capacitor when pulled low. Integrated undervoltage protection and shoot-through protection ensure reliable system operation. The ISL83202 is available in compact 16 Ld SOIC and 16 Ld PDIP packages and operates over the range of -55°C to +125°C.

パラメータ

属性
Bootstrap Supply Voltage (Max) (V)70
VBIAS (Max) (V)15
Peak Pull-up Current (A)1
Peak Pull-down Current (A)1
Turn-On Prop Delay (ns)75
Turn-Off Prop Delay (ns)55
Rise Time (μs)0.009
Fall Time9
Input Logic Level3.3V/TTL
Temp. Range (°C)-55 to +125°C

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
SOICN9.9 x 3.9 x 0.00161.3

アプリケーション・ブロック図

High-Performance EV Cooling System Block Diagram
高性能EV冷却システム
高度なEV冷却システムは、汎用性の高い高性能MCUで効率的な熱管理を提供します。

その他アプリケーション

  • UPS Systems
  • DC Motor Controls
  • Full Bridge Power Supplies
  • Switching Power Amplifiers
  • Noise Cancellation Systems
  • Battery Powered Vehicles
  • Peripherals
  • Medium/Large Voice Coil Motors

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Part NumberStatusSamplesLongevityStockRoHSPackageBudgetary Price (USD)Lead Count (#)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Pitch (mm)Pkg. Dimensions (mm)Pb (Lead) FreePb Free CategoryMOQTemp. Range (°C)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
ISL83202IBZActiveAvailable2033 DecIn StockRoHS:EN
SOIC1ku | $2.1216#Tube31.3mm9.9 x 3.9 x 0.00YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3960-55 to +125°CCHINAUSA
ISL83202IBZTActiveAvailable2033 DecOut of StockRoHS:EN
SOIC1ku | $2.1216#Reel31.3mm9.9 x 3.9 x 0.00YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e35000-55 to +125°CCHINAUSA
ISL83202IPZObsoleteN/A2033 DecIn StockContactPDIP16#TubeNot Applicable2.5mm19.0 x 6.6 x 3.94YesPb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e31000-55 to +125°C

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